张家祥
- 作品数：44 被引量：15H指数：3
- 供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法
- 本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可使轻掺杂区的长度一致，从而避免漏电流过大的问题。薄膜晶体管包括：在衬底基板上形成有源层、栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；有源层包括第一多...
- 姜晓辉张家祥
- 文献传递
- 阵列基板及其制备方法、显示装置
- 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以减少所使用的光刻掩膜版的数量，减少阵列基板的制造成本，进而减少显示装置的制造成本。该方法包括：在非感光树脂层上形成透明导电薄膜，并对透明导电薄膜...
- 张家祥郭建
- 文献传递
- 电容式触摸屏的面板以及包含该面板的电容式触摸屏
- 本发明公开了一种电容式触摸屏的面板以及包含该面板的电容式触摸屏，所述电容式触摸屏的面板上设有横向布置的电极以及纵向布置的电极；同一方向上的所述电极设置为至少两个种类，不同种类的电极的电容值不同，并针对所述不同种类的一组电...
- 张家祥曲连杰郭建陈旭
- 文献传递
- TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究被引量：3
- 2017年
- 本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。
- 张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏
- 关键词：漏电流AL电极
- 一种阵列基板及显示装置
- 本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置，用以实现准确测量像素电极之间的间距。本实用新型提供的阵列基板包括：基板、形成在基板显示区域呈矩阵排列的像素电极，以及形成在基板外围区域的与所述像素电极结构相同的，用于检测相邻像素电...
- 张家祥郭建
- 文献传递
- 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
- 本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，所述薄膜晶体管单元包括：位于衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝...
- 阎长江张家祥郭建谢振宇陈旭
- 文献传递
- 一种气刀及基板镀膜设备
- 本实用新型公开了一种气刀，包括气刀本体；气刀本体具有气体腔室，与气体腔室连通的进气通道，清洁基板时将气体腔室内的气体导向基板被清洁面的排气狭缝，排气狭缝与气体腔室连通；清洁基板时将气体腔室内的气体导向基板边缘的气流通道，...
- 田宗民谢振宇张家祥
- 文献传递
- 阵列基板及其制备方法、显示装置
- 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，减小了薄膜晶体管单元的导电沟道的沟道长度，同时提高了像素的开口率。该阵列基板包括：衬底基板及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，其中，所述薄膜晶体管...
- 李婧张文余张家祥
- 文献传递
- TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备
- 本发明公开了一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，涉及液晶显示技术，在进行栅极层、栅绝缘层、有源层的图案制作时，依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料，通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作...
- 姜晓辉张家祥
- 文献传递
- 一种电容式触摸板和显示装置
- 本实用新型公开了一种电容式触摸板，包括：衬底基板，该衬底基板上包括多个没有重叠区域的具有触摸信号传递功能的透明导电图案，其中每个透明导电图案为由同层材料形成的一体成型图案。本实用新型还提供一种包括上述电容式触摸板的显示装...
- 张家祥姜晓辉郭建陈旭
- 文献传递
