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王裕如

作品数：22 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 13篇击穿
  • 13篇功率器件
  • 12篇结终端
  • 12篇击穿电压
  • 11篇半导体
  • 10篇曲率
  • 6篇高压功率器件
  • 6篇半导体技术
  • 4篇电路
  • 4篇耐压
  • 4篇内壁
  • 4篇衬底
  • 3篇导电类型
  • 3篇离子注入
  • 3篇高压器件
  • 3篇横向高压器件
  • 3篇RESURF
  • 2篇电荷
  • 2篇电平位移
  • 2篇堆叠

机构

  • 22篇电子科技大学

作者

  • 22篇王裕如
  • 21篇乔明
  • 21篇张波
  • 18篇代刚
  • 16篇张晓菲
  • 8篇方冬
  • 7篇周锌
  • 6篇何逸涛
  • 2篇张康
  • 2篇孙成春
  • 2篇李阳
  • 2篇马金荣
  • 2篇陈钢
  • 1篇李燕妃
  • 1篇叶珂

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 9篇2015
  • 2篇2014
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超结结构的制备方法
本发明提供了一种超结结构的制备方法，属于半导体工艺制造技术领域。包括以下步骤：1)在衬底上制备第一N型外延层；2)采用多次高能离子注入工艺，在第一N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质，形成第一注入区；3)在第一N型...
乔明张晓菲代刚王裕如张康陈钢李阳张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米；同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
乔明王裕如代刚张晓菲周锌何逸涛张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明代刚张晓菲王裕如方冬张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米；同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
乔明王裕如代刚张晓菲周锌何逸涛张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中，N型漂移区2通过离子注入形成，在退...
乔明王裕如张晓菲代刚周锌何逸涛张波
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明代刚张晓菲王裕如方冬张波
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接，延伸方向与直接...
乔明王裕如张晓菲代刚方冬张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明王裕如张晓菲方冬代刚张波
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自触发堆叠STSCR‑LDMOS高压ESD保护电路
本发明提供了一种自触发堆叠STSCR‑LDMOS的高压ESD保护电路，属于电子技术领域。包括N个STSCR‑LDMOS堆叠单元，所述STSCR‑LDMOS堆叠单元包括一个STSCR‑LDMOS器件和一个电阻，其中N≥2，...
乔明马金荣孙成春王裕如张波
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横向高压器件及其制造方法
本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用外延工艺依次形成第二导电...
乔明王裕如代刚周锌何逸涛张波
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