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范晓萌

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 14篇成核
  • 13篇衬底
  • 12篇多量子阱
  • 10篇二极管
  • 10篇发光
  • 10篇发光二极管
  • 7篇氮化
  • 7篇蓝宝
  • 7篇蓝宝石
  • 6篇氮化物
  • 6篇电子阻挡层
  • 6篇阻挡层
  • 6篇蓝宝石衬底
  • 6篇化物
  • 5篇图形衬底
  • 4篇电流扩展
  • 4篇砂纸
  • 4篇紫外发光二极...
  • 4篇SUB
  • 4篇ALN薄膜

机构

  • 24篇西安电子科技...

作者

  • 24篇范晓萌
  • 23篇张进成
  • 23篇许晟瑞
  • 22篇郝跃
  • 15篇李培咸
  • 7篇毕臻
  • 7篇马晓华
  • 7篇王学炜
  • 6篇林志宇
  • 6篇牛牧童
  • 4篇周小伟
  • 4篇姜腾
  • 4篇赵颖
  • 3篇张涛
  • 3篇张春福
  • 2篇孟锡俊
  • 2篇宁静
  • 2篇陈大正
  • 1篇张金风
  • 1篇冯兰胜

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2014
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑230...
许晟瑞彭若诗范晓萌林志宇刘大为张进成孟锡俊李培咸牛牧童马德璞郝跃
基于金刚石图形衬底的大功率发光二极管及其制备方法
本发明意在公开一种基于金刚石基图形衬底的大功率氮化物发光二极管，主要解决现有金刚石衬底上外延氮化物半导体发光二极管晶格质量差、平片衬底出光效率低、大功率发光二极管器件散热不足及制备工艺复杂的问题。其自下而上为图形化金刚石...
许晟瑞卢灏王宇轩范晓萌高源陶鸿昌张涛张金风张进成郝越
基于铁电极化效应的紫外发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于铁电极化效应的紫外发光二极管及制备方法，主要解决传统LED发光效率低的问题。其自下而上包括：硅衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N层...
许晟瑞王学玮范晓萌张雅超刘大为张进成李培咸郝跃
文献传递
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al<Sub>2</...
许晟瑞赵颖范晓萌李培咸牛牧童张进成林志宇姜腾郝跃
文献传递
基于m面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的半极性AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于m面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的半极性AlN薄膜及制备方法，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用昂贵的问题。该薄膜自下而上包括：200‑500μm厚的m面Al<S...
许晟瑞赵颖范晓萌李培咸牛牧童张进成林志宇姜腾郝跃
基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑230...
许晟瑞彭若诗范晓萌林志宇刘大为张进成孟锡俊李培咸牛牧童马德璞郝跃
文献传递
基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸马晓华毕臻周小伟
文献传递
基于自组装亚微米ITO/Sc/ITO电流扩展层的GaN基发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基一种基于自组装亚微米ITO/Sc/ITO电流扩展层结构的GaN基发光二极管及其制备方法，主要解决现有LED电流扩展层对光子的反射损耗与电流扩展不均匀的问题。其自下而上包括：4H‑SiC或蓝宝石衬底、高温...
许晟瑞黄钰智冯兰胜范晓萌张雅超张进成朱卫东郝跃
文献传递
基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及制备方法
本发明公开了一种基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及其制备方法，主要解决现有光电转换结构光吸收效率较低导致太阳能电池效率低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸张春福马晓华毕臻周小伟
文献传递
基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管及其制备方法，方法包括：在蓝宝石衬底层上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长U型GaN层；在U型GaN层上生长第一层n型GaN层；在第一层n型GaN层上生长第二层C...
许晟瑞 彭若诗 江青聪范晓萌 苏华科张涛 张雅超张进成郝跃
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