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王学炜

作品数：13 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 6篇电子阻挡层
  • 6篇阻挡层
  • 5篇多量子阱
  • 5篇晶格
  • 5篇晶格结构
  • 5篇蓝宝
  • 5篇蓝宝石
  • 5篇超晶格
  • 5篇超晶格结构
  • 5篇衬底
  • 5篇成核
  • 4篇蓝宝石衬底
  • 4篇掺杂
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化物
  • 3篇势垒
  • 3篇离化
  • 3篇化物
  • 3篇光电
  • 2篇氧化镓

机构

  • 13篇西安电子科技...

作者

  • 13篇王学炜
  • 12篇张进成
  • 12篇许晟瑞
  • 12篇郝跃
  • 9篇毕臻
  • 8篇马晓华
  • 7篇李培咸
  • 7篇范晓萌
  • 6篇张春福
  • 4篇周小伟
  • 2篇李文
  • 2篇马佩军
  • 1篇吕玲
  • 1篇陈兴
  • 1篇徐文健

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2013
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
含有SiN<Sub>x</Sub>插入层的InN半导体器件的制备方法
本发明公开了含有SiN<Sub>x</Sub>插入层的InN半导体器件的制备方法，步骤是：（1）将m面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中，通入氢气与氨气的混气，对衬底进行热处理；（2）在衬底上生长厚度为15-40nm，温度...
许晟瑞曹荣涛张进成郝跃陈兴王学炜徐文健
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基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型...
张雅超马德璞许晟瑞王学炜张进成马佩军张春福郝跃
基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法
本发明公开了一种基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法，主要解决现有光电转换结构中的氮化物材料自发极化电场的方向与光照产生的电场相反，导致光电转换结构效率不高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸张春福马晓华毕臻艾立霞
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基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸马晓华毕臻周小伟
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基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸马晓华毕臻周小伟
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基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及制备方法
本发明公开了一种基于Sn离子注入的氮化物光电转换结构及其制备方法，主要解决现有光电转换结构光吸收效率较低导致太阳能电池效率低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、高温AlN成核层(2)、i‑GaN层(3)、n型GaN层(4...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸张春福马晓华毕臻周小伟
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渐变Al组分AlGaN/GaN肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种渐变Al组分AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管的制备方法，主要解决现有肖特基二极管的二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：衬底、重掺杂n型非极性GaN外延层和轻掺杂n型AlGaN层，且重掺杂n型非...
许晟瑞王学炜郝跃张进成毕臻艾丽霞李文吕玲
文献传递
N极性和非极性GaN衬底上的氮化物外延生长方法及特性研究
GaN是第三代半导体材料，具有较高的禁带宽度，较高的电子饱和速度以及良好的稳定性，在光电器件以及电子器件领域都有很大的优势。GaN基半导体材料具有直接带隙的特点，可以制备高效率的半导体光电器件，同时GaN、InN和AlN...
王学炜
关键词：位错密度
n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种n型GaN层对称掺杂的GaN高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有n型GaN层应力较大的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、In<Sub>x</Su...
许晟瑞范晓萌王学炜郝跃张进成李培咸马晓华毕臻艾立霞
文献传递
基于物理打磨粗化ITO层的GaN高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于物理打磨粗化ITO层的GaN高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有ITO粗化过程工艺复杂且发光效率低的问题。其自下而上包括：蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、In<Su...
许晟瑞王学炜范晓萌郝跃张进成李培咸张春福马晓华毕臻周小伟
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