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李辉杰: 作品数：17 被引量：7H指数：1; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

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基于二维材料的Ⅲ族氮化物外延被引量：5: 2017年; Ⅲ族氮化物合金因其宽广的可调能隙和优良的光电性能,在照明、电力电子、通讯、能源等领域有巨大优势,促使其材料制备技术不断发展.如何解决Ⅲ族氮化物异质外延过程中晶格及热胀失配对材料质量的影响,是当前的研究重点.近年来,二维材料作为一类新兴材料受到了极大的关注.借助二维材料层间弱键合的特性,有望降低Ⅲ族氮化物的制备成本、提高晶体质量,并实现柔性器件的制备,从而将其应用领域拓宽至可穿戴器件、可折叠器件等.本文综述了近年来国内外在二维材料上制备Ⅲ族氮化物的研究报道,介绍了石墨烯、六方氮化硼、过渡金属硫族化物等二维材料上制备氮化物的各种尝试和成果,总结了二维材料上Ⅲ族氮化物制备的特点,并对其未来发展趋势做了展望.; 谭晓宇杨少延李辉杰; 关键词：氮化镓石墨烯六方氮化硼

半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法: 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...; 项若飞汪连山赵桂娟金东东王建霞李辉杰张恒冯玉霞焦春美魏鸿源杨少延王占国; 文献传递

一种HEMT外延结构及制备方法: 本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层(70)。将...; 吉泽生汪连山赵桂娟孟钰淋李辉杰谭晓宇韩东岳杨少延王占国

一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法: 一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。...; 赵桂娟汪连山李辉杰孟钰淋吉泽生李方政魏鸿源杨少延王占国

制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法: 一种制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法，包括：取一衬底；在衬底上生长一层氧化锌结晶层做为牺牲层；在氧化锌结晶层上低温生长一层半导体支撑层；在半导体支撑层的表面生长半导体单晶外延层，在生长过程中，使氧化锌结晶...; 张恒魏鸿源杨少延赵桂娟金东东王建霞李辉杰刘祥林王占国; 文献传递

AlN单晶衬底生产设备及其使用方法: 一种AlN单晶衬底生产设备及其使用方法，其主体是一耐高温坩埚，坩埚分为两个部分：晶体生长室和原料室。晶体生长室侧壁有一氨气或氮气或二者混合气体的气管，与之相对位置有一气体出口；衬底固定于反应室的顶部；原料室底部有一载气气...; 李辉杰杨少延魏鸿源赵桂娟汪连山李成明刘祥林王占国; 文献传递

不同浓度F掺杂MoS_2性质的第一性原理计算研究被引量：1: 2017年; MoS_2二维材料由于其本身就具有直接带隙且带隙不为零,具有优于石墨烯的能带结构,是良好的半导体材料,在电学、磁学、及未来电子器件等方面都有良好的性质和应用前景。利用第一性原理方法,通过替位掺杂的方式,研究了不同浓度F掺杂单层MoS_2的能带结构和各种态密度图,并与本征单层MoS_2及文献中的掺Cl、掺O结果做了对比,分析了各自的电子结构、导电性和磁性。结果发现:掺F后单层MoS_2由直接带隙变成间接带隙,单层MoS_2的禁带宽度从本征的1.718e V减小到1.301 e V,且随着F掺杂浓度的增加,带隙更加变窄,体系的导电性更加增强。带隙的调节程度大于文献中掺Cl的效果而小于掺O的效果。磁性方面,本征的MoS_2无磁性,发现掺F后出现了一定磁性,且随着F掺杂浓度的增加其磁性增加。这些结果有利于对MoS_2优化改性和调控从而在微电子器件和半导体自旋电子学方面的应用。; 宋亚峰师李寰宇陈显平杨超普檀春健朱勤生李辉杰; 关键词：第一性原理掺杂电子结构

温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理被引量：1: 2021年; 氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度对AlN的生长形貌和生长模式具有重要的影响。AlN的生长形貌体现在纳米尺度和微米尺度的形貌差异,该结果归因于受生长温度主导的Al原子的表面迁移能力和位错演化。另外,在900℃生长温度下得到具有倒金字塔结构的V坑形貌。V坑面为{10-11}半极性面,并遵循三维(3D)生长模式。这种具有半极性面微观形貌的AlN可作为模板进行半极性紫外LED器件结构或其他Ⅲ族氮化物外延生长,在光电子器件和电子器件研制方面具有广阔的应用前景。; 牛慧丹孔苏苏杨少延刘祥林刘祥林魏鸿源李辉杰李辉杰汪连山汪连山; 关键词：氮化铝氢化物气相外延生长温度表面形貌

半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法: 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...; 项若飞汪连山赵桂娟金东东王建霞李辉杰张恒冯玉霞焦春美魏鸿源杨少延王占国; 文献传递

一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法: 本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中...; 孔苏苏李辉杰冯玉霞赵桂娟魏鸿源杨少延王占国; 文献传递