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王洪娟

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇双轴
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格常数
  • 4篇晶体管
  • 4篇沟道
  • 4篇N沟道
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 2篇单轴
  • 2篇量子
  • 1篇电学性能
  • 1篇异质结
  • 1篇工程研究
  • 1篇锗

机构

  • 5篇重庆大学

作者

  • 5篇王洪娟
  • 4篇刘艳
  • 4篇韩根全

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏...
刘艳韩根全王洪娟
文献传递
带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
本发明提供一种带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn n沟道上生长绝缘介...
刘艳韩根全王洪娟
文献传递
锗锡隧穿场效应晶体管应变工程和异质结工程研究
隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-effect Transistor，TFET）在室温下可实现60mV/decade的亚阈值摆幅（SS），在超低工作电压下，比如0.3伏，TFET可获得比MOSFET器件更...
王洪娟
关键词：电学性能
文献传递
双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSnn沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏极形...
刘艳韩根全王洪娟
文献传递
带有源应变源的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管
本发明提供一种带有源应变源的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSnn沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSnn沟道上生长绝缘介电质薄...
刘艳韩根全王洪娟
文献传递
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