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韩根全

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

主题

  • 17篇沟道
  • 14篇晶格
  • 14篇晶格常数
  • 12篇双轴
  • 12篇晶体管
  • 12篇场效应
  • 12篇场效应晶体管
  • 7篇迁移率
  • 6篇单轴
  • 6篇弛豫
  • 5篇漏极
  • 4篇应变层
  • 4篇空穴
  • 4篇空穴迁移率
  • 4篇N沟道
  • 3篇电流
  • 3篇压应变
  • 3篇双栅
  • 3篇工作电流
  • 3篇半导体

机构

  • 23篇重庆大学

作者

  • 23篇刘艳
  • 23篇韩根全
  • 8篇张庆芳
  • 6篇赵斌
  • 5篇刘明山
  • 4篇王洪娟
  • 4篇王轶博
  • 2篇颜静

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 9篇2015
  • 9篇2014
  • 2篇2013
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
刘艳韩根全赵斌张庆芳
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双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏...
刘艳韩根全王洪娟
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带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<Sup>+</Sup>型SiGe与p<Sup>+</Sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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带有InAlP盖层的Ge沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有InAlP盖层的Ge沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的Ge沟道（101），Ge沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝缘介电质薄膜...
韩根全刘艳
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带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
刘艳韩根全赵斌张庆芳
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压应变GeSnp沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种压应变GeSnp沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102,103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极（...
韩根全刘艳赵斌
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带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<Sup>+</Sup>型SiGe与p<Sup>+</Sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105...
刘艳韩根全刘明山
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带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法，该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区，栅介质层，栅极，绝缘介质层，压应变薄膜应变层，栅介质层形成在半导体材料的第一表面上，且位于导电沟道区的...
刘艳韩根全赵斌张庆芳
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带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
本发明提供一种带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn n沟道上生长绝缘介...
刘艳韩根全王洪娟
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