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一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片: 本实用新型公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本实用新型的优点是：相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极...; 叶振华张鹏陈奕宇林春胡晓宁丁瑞军何力; 文献传递

碲镉汞红外探测器的前沿技术综述被引量：5: 2014年; 红外光电探测器件在军事、民用和科学研究方面具有非常重要的应用。而碲镉汞(HgCdTe)由于自身的诸多优点在红外光电探测器的发展中起到了至关重要的作用,至今仍然是重要的战略战术应用中首选的材料体系。首先分析了针对新一代红外探测器所提出的SWaP3(Size,Weight,and Power,Performance and Price)概念,然后简略介绍了第三代红外焦平面研究背景下HgCdTe薄膜的衬底水平与材料生长情况,最后总结了大规模阵列器件、甚长波红外器件、高工作温度(High Operating Temperature,HOT)器件、超光谱探测器件、双色器件以及雪崩光电器件等前沿技术方面的研究进展。; 叶振华陈奕宇张鹏; 关键词：碲镉汞超光谱

硅基碲镉汞长波光电二极管芯片: 本发明公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本发明的优点是:相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，...; 叶振华张鹏陈奕宇林春胡晓宁丁瑞军何力; 文献传递

硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征被引量：3: 2017年; 为满足硫化锌(ZnS)薄膜在光学薄膜领域进一步应用的要求,基于原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术在130℃温度下以二乙基锌(DEZ)和硫化氢(H_2S)为反应源,在砷化镓(GaAs)衬底表面沉积了ZnS薄膜。用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)分析了样品的表面形貌和膜界面特性,用X射线衍射仪(X-ray Diffraction,XRD)分析了薄膜的结构特性,并通过X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)分析了薄膜的化学成分.研究了厚度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明,得到的ZnS薄膜为多晶结构,薄膜的厚度随循环数线性增加,速率为1.45A/cycle。对在75℃温度下烘烤48 h后的薄膜进行了XPS分析,得出的Zn/S比为1.07:1,表明烘烤除去了薄膜中残存的H_2S。以较短生长时间得到的较薄的薄膜具有更好的表面平整度和更致密的结构。; 孙常鸿张鹏张天宁陈鑫叶振华; 关键词：原子层沉积硫化锌

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张鹏