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霍勤

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇位错
  • 5篇衬底
  • 4篇气相外延
  • 4篇氢化物气相外...
  • 4篇自支撑
  • 3篇氮化镓
  • 3篇生长温度
  • 2篇单晶
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇形貌
  • 2篇水热
  • 2篇退火
  • 2篇热反应
  • 2篇六方氮化硼
  • 2篇晶片
  • 2篇空位
  • 2篇高温退火
  • 2篇SIC衬底
  • 2篇HVPE

机构

  • 11篇山东大学

作者

  • 11篇霍勤
  • 10篇吴拥中
  • 10篇郝霄鹏
  • 10篇邵永亮
  • 7篇张雷
  • 7篇戴元滨
  • 7篇田媛
  • 4篇张保国
  • 3篇李先磊

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法
一种在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：（1）SiC晶片清洗；（2）将SiC晶片装入HVPE反应室中；（3）将HVPE反应室抽真空后，通入N<Sub>2</Sub>至HVPE反应室内气压升至室内实...
郝霄鹏田媛邵永亮吴拥中张雷戴元滨霍勤
文献传递
一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法
一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN...
郝霄鹏张保国邵永亮吴拥中霍勤胡海啸
在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法
一种在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：（1）SiC晶片清洗；（2）将SiC晶片装入HVPE反应室中；（3）将HVPE反应室抽真空后，通入N<Sub>2</Sub>至HVPE反应室内气压升至室内实...
郝霄鹏田媛邵永亮吴拥中张雷戴元滨霍勤
文献传递
一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法
一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN...
郝霄鹏张保国邵永亮吴拥中霍勤胡海啸
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通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法
本发明提供一种通过制备具有N面锥形结构的衬底实现自剥离并获得自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)对GaN外延片使用化学湿法腐蚀进行Ga面腐蚀形成到达衬底的腐蚀坑...
郝霄鹏邵永亮张雷吴拥中戴元滨田媛霍勤
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通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法
氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如AlO、SiC和GaAs等。因此,如何将GaN和异...
田媛郝霄鹏吴拥中张雷邵永亮戴元滨霍勤张保国
关键词：氮化镓
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利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法
一种利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度0.005-0.075mg/ml的六方氮化硼纳米片与溶剂的分散液；（2）将配好的分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，然后在真空干燥箱内...
郝霄鹏李先磊张雷邵永亮吴拥中戴元滨田媛霍勤
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利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法
一种利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度为0.005-0.1mg/ml的石墨烯纳米片分散液或浓度为0.001-0.02mg/ml的氧化石墨烯纳米片分散液；（2）将配好的石墨烯纳米...
郝霄鹏李先磊张雷邵永亮吴拥中戴元滨田媛霍勤
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一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法
一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上外延生长一层GaN薄膜，获得MGA衬底；(2)将得到的MGA衬底进行清洗并烘干；(3)将清洗后的MGA衬底放入恒温室，蓝宝石面朝向激...
郝霄鹏胡海啸邵永亮吴拥中霍勤张保国
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利用多孔衬底HVPE生长GaN单晶及其不同晶面性质的研究
第三代半导体GaN材料因其优异的性能,被广泛地应用于短波长光电子器件和高频微波器件。目前大部分的GaN器件都是在异质衬底上外延生长制作的,由于GaN材料与衬底之间存在较大的晶格失配和热失配,导致GaN器件内部存在较大的位...
霍勤
关键词：HVPEGAN电催化
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