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刘明山

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：重庆大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇晶体管
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇沟道
  • 4篇双轴
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格常数
  • 3篇迁移率
  • 3篇漏极
  • 2篇单轴
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇极区
  • 1篇低功耗
  • 1篇电学性能
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇异质结
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...

机构

  • 6篇重庆大学

作者

  • 6篇刘明山
  • 5篇刘艳
  • 5篇韩根全

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常...
韩根全刘艳刘明山
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带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105...
刘艳韩根全刘明山
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延伸摩尔定律：基于GeSn的高性能、低功耗场效应晶体管研究
摩尔定律经历了半个多世纪的发展，芯片集成度不断增大，性能继续提高。但是随着器件特征尺寸接近纳米量级时，器件制作工艺遇到挑战，短沟道效应等问题已经严重影响到器件性能。根据国际半导体技术蓝图预测，对于14 nm以下技术节点，...
刘明山
关键词：场效应晶体管电学性能异质结
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无掺杂GeSn量子阱的金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有无掺杂GeSn量子阱的pMOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上生长半导体材料（103），半导体材料（103）上面为GeSn沟道（101），在沟道和栅（106）之间是绝缘介电质...
刘艳韩根全刘明山
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带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105...
韩根全刘艳刘明山
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双轴张应变GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常...
刘艳韩根全刘明山
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