刘金龙
- 作品数：11 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 太阳电池伏安特性的演变及其控制准则被引量：1
- 2015年
- 从数学层面分析 I_(ph)、I_0、n、R_s、R_(sh)5参数模型太阳电池电流方程的切线方程和二阶导数。同时给出I-V特性曲线趋直时的直线方程形式,以及满足基尔霍夫定律的直线式太阳电池电流方程。从数学层面证明增大光生电流I_(ph)或串联内阻R_s时,准则数α(I),V的取值范围减小,并指出只有串联内阻存在时,才出现I-V特性曲线由曲趋直现象。通过实验,采用外加串联内阻的方式验证增大串联内阻I-V特性曲线由曲趋直现象。
- 张忠政程晓舫刘金龙
- 关键词：太阳电池伏安特性
- 热丝助PECVD制备多晶硅薄膜的结构特点
- 将热丝(钨丝)作为催化器平等地抛引入等离子体增强化学气相沉积,建立热丝助PECVD沉积系统.在固定沉积气压、氢稀释度、射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度T<,f>对硅薄膜晶化的影响.结果表明,随着T<,...
- 冯勇刘丰珍朱美芳刘金龙韩一琴
- 关键词：多晶硅薄膜晶化
- 文献传递
- 太阳电池负载的工作区间
- 2015年
- 基于实际太阳电池的五参数模型的研究指出,只有当Rs/Rsh≤1/8时得失功率比大于"1",即输出功率大于内耗功率,并比较了理想、串阻、并阻和实际太阳电池的得失功率;当最大功率负载Rm L=0.5Rs(1+Rsh/Rs)时,太阳电池工作在最大功率点处获得最大得失功率比[(1+Rsh/Rs)×0.5-1]/2;由单体电池组成的电池阵列,要求单体电池的得失功率负载工作区间保持一致。
- 张忠政程晓舫刘金龙
- 关键词：太阳电池输出功率
- 氢化微晶硅薄膜电输运性质的研究
- 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法制备了不同晶态比(X<,c>)的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了μc-Si:H薄膜的暗电导率(σ<,d>)与X<,c>的关系,测量了μc-Si:H薄膜的暗电导温度特性.针对薄...
- 刘丰珍冯勇朱美芳韩一琴刘金龙
- 关键词：微晶硅薄膜
- 文献传递
- 非线性太阳电池的负载电阻输出功率的研究被引量：1
- 2015年
- 针对非线性的太阳电池等效电路,给出最大输出功率时最佳负载的迭代式;研究串并联内阻对最佳负载和最大输出功率的影响。指出随并联内阻的增大,最佳负载先增大后减小,随串联内阻的增大,最佳负载的变化趋势或单调增大或先减小后增大;串联内阻越小、并联内阻越大,最大输出功率越大。还给出太阳电池的最大功率跟踪方程及其曲线,当串联内阻较小和并联内阻较大时,为非单调性曲线,当串联内阻较大和并联内阻较小时,为单调性曲线;最大输出功率恒压跟踪(CVT)时,建议选用不同的恒定跟踪电压替代只采用一个恒定跟踪电压。数值模拟指出,串联内阻越小或并联内阻越大,CVT的区间越宽。
- 张忠政程晓舫刘金龙
- 关键词：太阳电池最佳负载最大输出功率最大功率跟踪CVT
- 基于绝热压缩空气储能的分布式冷热功联产系统
- 随着人类社会的快速发展，对于能源的需求越来越大，导致传统集中式供电网络的负荷大幅增大。然而由于社会活动的时间性，大负荷集中式供电网络出现了严重的“峰谷电”问题，对供电网络的发展产生了重大不利影响。除了电力供应中的峰谷问题...
- 刘金龙
- 关键词：稳定性供电网络
- 注氮硅中光致发光现象及其机制的研究被引量：4
- 1998年
- 通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为：３．３ｅＶ、３．０ｅＶ、２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光．通过ＸＰＳ、ＡＥＳ的分析，确认了由于氧的插入，样品中Ｎ－Ｓｉ－Ｏ缺陷，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面发光中心，分别是引起３．０ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光的主要原因．
- 刘渝珍石万全陈志坚姚德成刘金龙谢侃刘振祥
- 关键词：硅氮化硅光致发光半导体薄膜技术
- LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射被引量：6
- 1999年
- 在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其发光机制．
- 刘渝珍石万全刘世祥姚德成刘金龙韩一琴赵玲莉孙宝银叶甜春陈梦真
- 关键词：LPCVD氮化硅室温激光激发
- 热丝助PECVD低温多晶硅薄膜制备的研究
- 将热丝(钨丝)作为催化器平行地引入等离子体增强化学气相沉积,建立了热丝助PECVD沉积系统。在固定沉积气压、氢稀释度和射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度 T对硅薄膜晶化的影响。结果表明随着T的提高,沉积...
- 冯勇朱美芳刘丰珍刘金龙韩一琴
- 文献传递
- Si^+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响被引量：2
- 1999年
- 将高剂量 ( 1× 1 0 17/cm2 ) Si+ 注入热氧化 Si O2 薄膜 ,在～ 5.0 e V( 2 65nm)激光的激发下 ,观测到 2 .97e V、2 .32 e V和 1 .73e V的三个光致发光 ( PL)峰 ,经快速热退火 ( RTA)处理后 ,其PL谱峰形发生变化 .本文对
- 刘世祥刘渝珍伍勇石万全陈志坚韩一琴刘金龙张通和姚德成
- 关键词：硅二氧化硅RTA半导体薄膜技术
