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刘彬

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

主题

  • 5篇刻蚀
  • 3篇准直
  • 3篇夹具
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 3篇光纤
  • 3篇光纤准直器
  • 3篇本体
  • 2篇单次
  • 2篇电极
  • 2篇电绝缘
  • 2篇散热
  • 2篇散热效果
  • 2篇通孔
  • 2篇隔离层
  • 2篇光刻版
  • 2篇硅基
  • 2篇叉指电极
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇刘彬
  • 10篇付思齐
  • 10篇时文华
  • 7篇张宝顺
  • 2篇侯克玉

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
微流道散热芯片及其制备方法
本发明提供一种微流道散热芯片及其制备方法，微流道散热芯片包括硅基本体以及设置于所述硅基本体上的隔离层，所述硅基本体顶部开设有隔离槽，所述隔离槽向下延伸出第一微流通道、第二微流通道以及第三微流通道，所述第一微流通道以及所述...
付思齐时文华李翔刘彬缪小虎张宝顺
文献传递
一种离子迁移管的制作方法
本发明提供了一种离子迁移管的制作方法，在硅基衬底表面沉积金属电极，并对硅基衬底进行刻蚀，以形成独立的一对叉指电极，再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔，将玻璃基片与硅基衬底粘合，且使叉指电极所在区域内嵌于孔中，根...
时文华缪小虎付思齐刘彬
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微流道散热芯片及其制备方法
本发明提供一种微流道散热芯片及其制备方法，微流道散热芯片包括硅基本体以及设置于所述硅基本体上的隔离层，所述硅基本体顶部开设有隔离槽，所述隔离槽向下延伸出第一微流通道、第二微流通道以及第三微流通道，所述第一微流通道以及所述...
付思齐时文华李翔刘彬缪小虎张宝顺
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一种光纤准直器夹具的制造方法及光纤准直器夹具
本发明公开了一种光纤准直器夹具的制造方法，包括：S1、对双抛硅片作热氧化处理生成热氧化层；S2、去除双抛硅片的第一面的第一热氧化层，并在与所述第一面相对的第二面的第二热氧化层上沉积氮化硅薄膜层；S3、自所述双抛硅片的所述...
付思齐时文华刘彬缪小虎张宝顺
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光刻方法
本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待...
付思齐时文华刘彬侯克玉张宝顺
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一种光纤准直器夹具的制造方法及光纤准直器夹具
本发明公开了一种光纤准直器夹具的制造方法，包括：S1、对双抛硅片作热氧化处理生成热氧化层；S2、去除双抛硅片的第一面的第一热氧化层，并在与所述第一面相对的第二面的第二热氧化层上沉积氮化硅薄膜层；S3、自所述双抛硅片的所述...
付思齐时文华刘彬缪小虎张宝顺
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一种夹具及其制造方法
本发明提供一种夹具，用于夹持光纤准直器，所述夹具包括从上而下依次堆叠设置的硅基本体、第一薄膜层以及第二薄膜层，所述硅基本体顶部设置有第一导向孔，所述第一导向孔底部向下延伸出一限位孔，所述限位孔贯穿所述硅基本体到达所述第一...
付思齐时文华李翔刘彬缪小虎张宝顺
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光刻方法
本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待...
付思齐时文华刘彬侯克玉张宝顺
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一种离子迁移管的制作方法
本发明提供了一种离子迁移管的制作方法，在硅基衬底表面沉积金属电极，并对硅基衬底进行刻蚀，以形成独立的一对叉指电极，再在玻璃基片上开设与叉指电极所在区域对应的孔，将玻璃基片与硅基衬底粘合，且使叉指电极所在区域内嵌于孔中，根...
时文华缪小虎付思齐刘彬
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一种亚微米双台阶图形的制备方法
一种亚微米双台阶图形的制备方法，包括以下步骤：提供掩膜版，所述掩膜版上设置有若干个图形，提供样品，所述样品放置于所述掩膜版的下方；在所述掩膜版与样品之间设置光刻胶，采用光刻方法对所述样品上的掩膜版进行曝光，形成光刻胶形貌...
时文华付思齐刘彬缪小虎
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