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付思齐

作品数：28 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：苏州市科技发展计划更多>>
相关领域：电子电信机械工程理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 15篇刻蚀
  • 7篇光刻
  • 6篇湿法腐蚀
  • 6篇光刻版
  • 5篇掩膜
  • 4篇单次
  • 4篇掩模
  • 4篇图案
  • 4篇微反射镜
  • 4篇晶向
  • 4篇硅刻蚀
  • 4篇反射镜
  • 4篇干法刻蚀
  • 3篇准直
  • 3篇划片
  • 3篇夹具
  • 3篇光刻胶
  • 3篇光纤
  • 3篇光纤准直器
  • 3篇硅基

机构

  • 27篇中国科学院
  • 3篇长春理工大学
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇北京大学

作者

  • 28篇付思齐
  • 24篇张宝顺
  • 15篇时文华
  • 10篇刘彬
  • 6篇王逸群
  • 6篇张学敏
  • 4篇林文魁
  • 4篇孙天玉
  • 2篇侯克玉
  • 2篇邢政
  • 2篇曾春红
  • 2篇于国浩
  • 2篇李海军
  • 2篇俞挺
  • 2篇俞骁
  • 2篇姜春宇
  • 2篇王德稳
  • 2篇朱贺
  • 1篇吕佳楠
  • 1篇张晓东

传媒

  • 1篇应用光学
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2010
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种光纤准直器夹具的制造方法及光纤准直器夹具
本发明公开了一种光纤准直器夹具的制造方法，包括：S1、对双抛硅片作热氧化处理生成热氧化层；S2、去除双抛硅片的第一面的第一热氧化层，并在与所述第一面相对的第二面的第二热氧化层上沉积氮化硅薄膜层；S3、自所述双抛硅片的所述...
付思齐时文华刘彬缪小虎张宝顺
文献传递
应用于高密度近场光存储技术的亚波长纳米孔被引量：1
2010年
近场光存储技术因其高分辨率、超出传统光学衍射极限的限制等特点成为实现下一代高密度光存储的关键解决方案之一。目前应用的主要瓶颈是其光源较低的透过强度难以达到实际应用的要求。文章利用金属表面的周期性结构激发表面等离子体激元来提高亚波长纳米孔的透过率的解决途径。实验中制作了两种周围带有表面周期结构的纳米微孔,并对小孔周围光栅状结构的形状对纳米孔透过强度的影响进行了讨论。在此基础上提出了将纳米孔应用于高密度存储领域的设想。
李海军林文魁张晓东査强王媛朱贺付思齐张宝顺
关键词：近场光学表面等离子体透过率
光刻方法
本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待...
付思齐时文华刘彬侯克玉张宝顺
文献传递
微反射镜的制造方法
本发明提供一种微反射镜的制造方法，所述制造方法包括步骤：提供一(100)晶面的硅衬底；在所述硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；对所述硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在所述硅衬底的顶面形成第一掩模图案，所述第一掩模图案包括...
张学敏孙天玉付思齐王逸群邢政张宝顺
文献传递
一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法
本发明涉及MEMS器件制造领域，具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法，包括步骤：S1通过阳极键合，将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合，使得通孔形成各自独立的预成型腔；S2在部分预成型腔中，置入碱金属...
王逸群姜春宇付思齐林文魁王德稳张宝顺
文献传递
深硅刻蚀方法
本发明公开了一种深硅刻蚀方法，用以形成台阶结构的沟槽，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有形成所述沟槽的窗口，利用分割线对所述窗口进行分割，所述分割线为不同台阶的分界线；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形...
付思齐时文华缪小虎周韦娟张宝顺
文献传递
一种单晶硅空心微针结构的制作方法
本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法，在一典型实施案例中，该方法可以包括：先在（100）型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽；用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层；在硅片正面和背面用涂胶...
俞骁付思齐张宝顺
文献传递
微反射镜的制造方法
本发明提供一种微反射镜的制造方法，制造方法包括步骤：提供一(100)晶面的硅衬底；在硅衬底的顶面和底面分别生长一介质层；对硅衬底顶面的介质层进行刻蚀，以在硅衬底的顶面形成第一掩模图案，第一掩模图案包括多个第一掩模，每个第...
张学敏孙天玉付思齐俞挺王逸群张宝顺
文献传递
微流道散热芯片及其制备方法
本发明提供一种微流道散热芯片及其制备方法，微流道散热芯片包括硅基本体以及设置于所述硅基本体上的隔离层，所述硅基本体顶部开设有隔离槽，所述隔离槽向下延伸出第一微流通道、第二微流通道以及第三微流通道，所述第一微流通道以及所述...
付思齐时文华李翔刘彬缪小虎张宝顺
文献传递
深硅刻蚀方法
本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有不同宽度的沟槽，利用细线条沿所述沟槽的宽度方向对所述沟槽进行分割，并使得分割后所有沟槽的宽度相同；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜...
付思齐时文华王敏锐张宝顺
文献传递
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