2024年7月22日
星期一
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
高云斌
作品数:
16
被引量:0
H指数:0
供职机构:
株洲南车时代电气股份有限公司
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
李诚瞻
株洲南车时代电气股份有限公司
赵艳黎
株洲南车时代电气股份有限公司
史晶晶
株洲南车时代电气股份有限公司
周正东
株洲南车时代电气股份有限公司
刘国友
株洲南车时代电气股份有限公司
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
16篇
中文专利
领域
2篇
电子电信
主题
9篇
碳化硅
7篇
外延层
4篇
导通
4篇
导通电阻
4篇
电阻
4篇
载流子
4篇
载流子迁移率
4篇
迁移率
4篇
沟道
3篇
离子注入
3篇
保护膜
2篇
导通压降
2篇
电场
2篇
电场强度
2篇
旋涂
2篇
载流子输运
2篇
碳化硅肖特基...
2篇
退火
2篇
退火过程
2篇
外延片
机构
16篇
株洲南车时代...
作者
16篇
高云斌
16篇
李诚瞻
13篇
赵艳黎
11篇
史晶晶
9篇
周正东
8篇
丁荣军
8篇
刘国友
7篇
刘可安
7篇
吴佳
4篇
蒋华平
3篇
陈喜明
2篇
颜骥
1篇
邵云
年份
2篇
2018
3篇
2017
1篇
2016
10篇
2015
共
16
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种新型碳化硅MOS器件及其制造方法
本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法,本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P<Sup>-</Sup>外延层,由于外延层之后的P<Sup>-</Sup>外延层的表面粗糙度较低,所以导电沟道中...
赵艳黎
刘可安
李诚瞻
高云斌
蒋华平
吴佳
丁荣军
文献传递
MOS电容以及其制造方法
本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括,步骤一:在基板上设置SiC外延层;步骤二:在SiC外延层上设置氧隔离层;步骤三:在氧隔离层上设置硅层;步骤四:将硅层氧化成SiO<Sub>2</Sub>层。根据本方法制造的...
陈喜明
李诚瞻
颜骥
赵艳黎
高云斌
史晶晶
刘国友
文献传递
一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法
本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法,其中,所述二极管包括:第一掺杂类型碳化硅衬底;位于所述衬底一侧的阴极;位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层;位于所述外延层表面的阳极;所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所...
李诚瞻
高云斌
史晶晶
周正东
吴煜东
丁荣军
文献传递
一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法
本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法,包括:在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜;去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层;在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触;在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口;在所述碳化...
史晶晶
李诚瞻
刘国友
赵艳黎
周正东
高云斌
吴佳
杨勇雄
刘可安
文献传递
一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件,采用阶梯形的栅氧化层结构,位于沟道和部分N<Sup>+</Sup>源区上方的为第一栅氧化层,其厚度为40~60nm;位于JFET区上方的为第二栅氧化层,其厚度为100~200nm。优...
高云斌
李诚瞻
刘国友
吴煜东
史晶晶
赵艳黎
文献传递
碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法
本发明公开了碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法,一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅(SiO<Sub>2</Sub>),另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅(Poly-Si)。另一种掩...
李诚瞻
刘可安
吴煜东
周正东
史晶晶
高云斌
文献传递
一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法及应用
本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法,包括将碳纳米管置于酸液中加热,将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散,然后在SiC晶圆表面旋涂成膜,最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在...
史晶晶
李诚瞻
刘国友
赵艳黎
周正东
高云斌
吴佳
杨勇雄
刘可安
文献传递
一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法
本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤:1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理;2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法...
史晶晶
李诚瞻
吴煜东
周正东
赵艳黎
高云斌
吴佳
杨勇雄
丁荣军
文献传递
一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法
本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法,本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后,在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P<Sup>-</Sup>外延层,载流子输运在P<Sup>-</Sup>外延层反型沟...
赵艳黎
刘国友
李诚瞻
高云斌
蒋华平
周正东
丁荣军
文献传递
一种碳化硅MOS器件及其制造方法
本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法,本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P<Sup>-</Sup>外延层,由于外延层之后的P<Sup>-</Sup>外延层的表面粗糙度较低,所以导电沟道中载...
赵艳黎
刘可安
李诚瞻
高云斌
蒋华平
吴佳
丁荣军
文献传递
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张