梅伏洪
- 作品数：14 被引量：6H指数：2
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省基础研究计划项目山西省青年科技研究基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响
- 2016年
- 本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列。利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底对ZnO纳米棒生长的影响。结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构。在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这可能是由于p-GaN界面比较粗糙,界面能量较大,为ZnO的生长提供了更多的形核区域;与生长在u-GaN上的ZnO纳米棒阵列相比,p-GaN上所沉积的ZnO纳米棒在378.3 nm处有一个较强的近带边发射峰,且峰强比较大,说明在p-GaN上所制备的ZnO纳米棒的晶体质量和光学性能更好。
- 户芳余春燕梅伏洪张华许并社
- 关键词：ZNO纳米棒水热法光学性能
- 一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法
- 本发明属于半导体技术领域，所述的一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法，包括在衬底上形成第一GaN层；在第一GaN层上形成Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N阻止层，x＝0.0～0.4；在Al<Su...
- 贾伟樊腾李天保许并社李学敏卢太平梅伏洪
- 文献传递
- 一种氮化镓基深紫外LED有源区结构
- 本发明公开了一种氮化镓基深紫外LED的有源区结构，可增强光的提取效率。该结构由五个周期的量子阱构成，每个量子阱由充当势垒的高铝组分AlGaN层和充当势阱的AlN/GaN超晶格组成。该结构的发光波长处于深紫外范围（224～...
- 梅伏洪翟光美张华许并社
- 文献传递
- 一种氮化镓基深紫外LED有源区结构
- 本发明公开了一种氮化镓基深紫外LED的有源区结构，可增强光的提取效率。该结构由五个周期的量子阱构成，每个量子阱由充当势垒的高铝组分AlGaN层和充当势阱的AlN/GaN超晶格组成。该结构的发光波长处于深紫外范围（224～...
- 梅伏洪翟光美张华许并社
- 文献传递
- 太阳能电池用钙钛矿薄膜的微纳结构界面诱导生长方法
- 本发明公开了一种面向太阳能电池应用的有机金属卤化物钙钛矿薄膜的微纳结构界面诱导生长方法，其特征在于首先利用“溶剂配位‑反溶剂萃取”方法制备具有微纳结构界面的金属卤化物薄膜，然后利用该微纳结构界面诱导钙钛矿晶粒的快速转化和...
- 翟光美张继涛高文辉张彩峰邵智猛梅伏洪张建兵杨永珍刘旭光许并社
- 文献传递
- 三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响被引量：2
- 2016年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和应力情况进行了分析。当三维生长温度分别为1060℃、1070℃和1080℃时,外延层刃位错密度分别为5.09×108/cm3、3.58×108/cm3和5.56×108/cm3,呈现先减小后增大的现象,而螺位错密度变化不显著,分别为1.06×108/cm3、0.98×108/cm3和1.01×108/cm3,同时外延层残余应力分别为0.86 GPa、0.81 GPa和0.65 GPa,呈现逐渐减小的趋势。这可能是由于三维生长温度不同时,外延层生长模式和弛豫程度发生改变所致。
- 李小杜尚林朱亚丹贾志刚梅伏洪翟光美李学敏许并社
- 关键词：GAN位错残余应力
- 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
- 本发明提供了一种InGaN基蓝绿光发光二极管的外延生长方法及其结构，其外延结构的生长方法包括以下具体步骤：将蓝宝石衬底在氨气气氛中进行高温退火处理，将温度降低至530‑580度，并调整外延生长气氛以生长低温InGaN成核...
- 翟光美李学敏梅伏洪张华马淑芳刘青明李小杜王皓田许并社
- 文献传递
- 一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法
- 本发明属于半导体技术领域，所述的一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法，包括在衬底上形成第一GaN层；在第一GaN层上形成Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N阻止层，x＝0～0.4；在Al<Sub>...
- 贾伟樊腾李天保许并社李学敏卢太平梅伏洪
- 文献传递
- 碘化钾对两步法制备钙钛矿薄膜及其电池性能的影响被引量：2
- 2021年
- 有机-无机杂化钙钛矿太阳电池因具有光电转化效率高和制备成本低廉等优点而备受关注。钙钛矿薄膜中的缺陷是限制钙钛矿电池性能进一步提升的重要因素,而缺陷调控又依赖于薄膜制备方法的发展和进步。两步法是制备钙钛矿薄膜和电池的主要方法之一,但目前对在两步法前驱液中引入添加剂如何影响钙钛矿薄膜结晶过程和缺陷密度的认识不足。本工作致力于利用光谱、X射线衍射、扫描电镜和电学测试等技术手段研究在两步法的铅盐溶液中引入碘化钾(KI)对卤化铅溶液、钙钛矿转化、缺陷密度和电池性能的影响。实验结果表明,适量KI的引入有利于高碘配位数铅碘配合物的生成,促进卤化铅向钙钛矿相的室温转化,并有效降低钙钛矿薄膜中的缺陷密度,钙钛矿电池的光电转化效率从无KI时的17.49%提高到19.17%。本工作的研究结果不仅有助于加深对两步法制备钙钛矿过程中结晶规律的理解,而且有助于进一步推动钙钛矿薄膜质量和器件性能的提升。
- 高领伟翟光美任锦涛陈青员政宽梅伏洪梅伏洪余春燕余春燕
- 关键词：碘化钾两步法
- 一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法
- 本发明属于光电器件领域，具体涉及一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法。解决了目前LED结构P型区载流子浓度不高、电流分布不均匀性以及出光效率低技术问题。一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构，该发光二极...
- 许并社尚林翟光美贾伟马淑芳梁建李天保梅伏洪贾志刚
