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张华辉

作品数:39 被引量:0H指数:0
供职机构:上海空间电源研究所更多>>
相关领域:电气工程自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 39篇中文专利

领域

  • 8篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 20篇电池
  • 18篇太阳电池
  • 14篇多结太阳电池
  • 10篇隧穿
  • 10篇量子
  • 10篇量子隧穿
  • 10篇局域
  • 10篇非局域
  • 10篇半导体
  • 8篇化合物半导体
  • 8篇半导体器件
  • 7篇电压
  • 6篇异质结
  • 6篇语法
  • 6篇语法规则
  • 6篇禁带
  • 6篇化合物半导体...
  • 6篇方程组
  • 4篇带隙
  • 4篇异质结界面

机构

  • 39篇上海空间电源...

作者

  • 39篇张华辉
  • 33篇陈杰
  • 31篇李欣益
  • 30篇陆宏波
  • 30篇张梦炎
  • 30篇张玮
  • 30篇郑奕
  • 30篇杨丞
  • 28篇张建琴
  • 8篇黄军
  • 6篇陈海涛
  • 3篇朱凯
  • 3篇何小斌
  • 3篇董宇
  • 3篇刘勇
  • 3篇李开宇
  • 2篇丁一宁
  • 2篇何小彬
  • 2篇刘世超
  • 2篇刘涛

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 6篇2019
  • 7篇2018
  • 13篇2017
  • 7篇2016
  • 1篇2014
39 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于卫星电源系统功率调节的拓扑电路
本发明的用于卫星电源系统功率调节的拓扑电路,包括“T”型一体化主电路拓扑和逻辑控制电路拓扑;主电路拓扑包括三个功率MOS管、三个各自体二极管、一个功率二极管和一个储能电感;太阳电池阵输出通过功率二极管与负载相连进行供电;...
刘世超黄军何小彬张华辉刘涛陈杰刘勇
文献传递
一种空间MOSFET加速退化试验评估方法
本发明公开了一种空间MOSFET加速退化试验评估方法,包括以下步骤:收集不同水平的外部应力下,功率器件在不同时间的退化数据;假设功率器件的寿命T服从正态分布,采用所述正态分布对应的分布参数估计方法,得到所述功率器件在不同...
陈海涛田前程张华辉姜煜煜任杰伟丁帅王磊黄军杨华
具有电流守恒特性的能带间非局域量子隧穿模拟方法
本发明公开一种具有电流守恒特性的能带间非局域量子隧穿模拟方法,包含:离散半导体器件物理区域生成以所求解物理变量的结点值增量为变量的线性方程组;处理非局域量子隧穿,确定公共能量区间定义第一边和第二边;插值所产生的点对点隧穿...
张玮李欣益陆宏波陈杰张华辉杨丞张梦炎郑奕张建琴
一种空间用微型聚光太阳电池芯片、模组及组件
本发明公开了一种空间用微型聚光太阳电池芯片、模组及组件。空间用微型聚光太阳电池芯片包含:按照光线辐照方向依次堆栈布置的微型聚光透镜、聚光太阳电池及热沉均热层;所述微型聚光透镜具有≤1mm的超短焦距,形成的聚光光斑位于所述...
翟涵李欣益张华辉蒋帅马宁华李戈郑通王训春刘勇
复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法
本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法,包含:分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型;确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则;化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写...
张玮陆宏波李欣益杨丞张华辉张梦炎陈杰郑奕张建琴
文献传递
一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法,该制备方法采用数字掺杂配合指数掺杂的方式制备该太阳电池的功能区;其中,数字掺杂配合指数掺杂的方式是指:掺杂区分段进行数字式掺杂,掺杂剂的流量以数字式...
陆宏波朱凯李欣益张玮杨丞张华辉陈杰张梦炎张建琴郑奕
文献传递
一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法
一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法,按照语法规则分别读取化合物半导体器件生长程序文件与各层材料参数文件,同时结合预设的工艺文件与数值仿真分析控制参数生成适合数值仿真分析软件的专属文件,极大地提高了器件结构文件生...
张玮陆宏波李欣益张梦炎张华辉杨丞陈杰张建琴郑奕
文献传递
一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法
本发明提供了一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法,该多结电池包含设置在多结电池末端的底电池,该底电池与衬底存在晶格失配。本发明通过在电池结构末端引入小失配底电池,降低了底电池材料的禁带宽度,提高了底电池光生...
陆宏波李欣益张玮张梦炎郑奕张华辉陈杰杨丞张建琴
文献传递
一种含有双边场助效应的异质结太阳电池
本发明公开了一种含有双边场助效应的异质结太阳电池,该电池依次设置的宽带隙材料区、窄带隙材料区和窗口层区域。宽带隙材料区包含依次设置的宽带隙基区和未掺杂区。宽带隙基区采用Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑y</...
张玮陆宏波李欣益杨丞张华辉陈杰张梦炎张建琴郑奕
文献传递
含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池
本发明公开了一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池,该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成,每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层,所述的发射区采用n型子电池主体材料,窗口层采用n...
李欣益陆宏波张玮杨丞张梦炎张华辉陈杰郑奕张建琴
共4页<1234>
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