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邢伟荣

作品数：38 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 15篇探测器
  • 14篇红外
  • 12篇红外探测
  • 12篇红外探测器
  • 10篇超晶格
  • 8篇晶格
  • 7篇束流
  • 7篇探测器材料
  • 7篇红外探测器材...
  • 7篇暗电流
  • 6篇势垒
  • 6篇碲镉汞
  • 5篇势垒层
  • 5篇锑化铟
  • 5篇分子束
  • 5篇锑
  • 4篇分子束外延
  • 4篇半导体
  • 4篇波段
  • 4篇超晶格材料

机构

  • 38篇中国电子科技...

作者

  • 38篇邢伟荣
  • 27篇刘铭
  • 19篇周朋
  • 11篇折伟林
  • 10篇尚林涛
  • 5篇李震
  • 5篇王经纬
  • 5篇巩锋
  • 4篇程鹏
  • 3篇王丛
  • 3篇周立庆
  • 3篇李达
  • 2篇郭喜
  • 2篇韦书领
  • 2篇李海燕
  • 2篇高达
  • 1篇喻松林
  • 1篇王成刚
  • 1篇侯晓敏
  • 1篇强宇

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 4篇2024
  • 6篇2023
  • 9篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种红外探测器材料及其制备方法
本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法，用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括：根据响应波长的范围，设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数；制作锑化铟衬底；根据设定的参数生长锑化...
刘铭程鹏周朋尚林涛邢伟荣
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双色红外探测器材料及其制备方法
本发明公开了一种双色红外探测器材料及其制备方法，包括：对锑化铟晶体进行预处理，所述锑化铟为InSb，得到外延级的InSb衬底；根据响应波长范围设定铟铝锑中的Al组分的参数，所述铟铝锑为InAlSb，并在外延级的InSb衬...
刘铭巩锋程鹏王经纬邢伟荣
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一种半峰宽自动化测试工装
本发明公开了一种半峰宽自动化测试工装，所述半峰宽自动化测试工装包括：光信号处理系统，用于基于样品生成测试信号，所述光信号处理系统中的样品台包括用于定位样品的定位结构；计算机处理系统，与光信号处理系统通信连接，用于接收测试...
李乾李达折伟林邢伟荣刘铭韦书领
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一种分子束外延系统取片装置及方法
本发明提出了一种分子束外延系统取片装置及方法，该分子束外延系统取片装置包括Load Lock和用于为加载或卸载样品提供操作空间的内部取片盒，所述内部取片盒顶部可选择地进行密封，所述内部取片盒顶部设置有甩胶装置，所述Loa...
周睿李震王丹邢伟荣折伟林
一种基于InAs的APD结构的制备方法
本发明公开了一种基于InAs的APD结构的制备方法，包括：以InAs衬底为基础，在所述InAs衬底上生长有掺杂的n<Sup>+</Sup>‑InAs层、有源层、掺杂的p‑InAs层以及掺杂的p<Sup>+</Sup>‑I...
邢伟荣刘铭周朋胡雨农
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一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋刘铭折伟林邢伟荣尚林涛
一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法，本发明的红外探测器结构设计简单，容易实现，其中M结构SL势垒结构可有效阻挡两个吸收层中大多数空穴载流子暗电流输运，而近零导带偏差几乎不会影响光生少子电子自由...
尚林涛邢伟荣
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一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法
本发明公开了一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，包括：将经过预处理之后的晶片通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀；对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀溶液进行腐蚀处理；在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，以完成...
邢伟荣温涛刘铭李海燕
一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法
本发明提供了一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法，方法包括：处理锑化镓衬底，在处理后的锑化镓衬底上依次生长锑化镓缓冲层、铟砷锑刻蚀阻挡层、p型电极接触层、p型掺杂的中波吸收层、势垒层、n型电极接势垒层，势垒层按第一预...
邢伟荣刘铭郭喜周朋
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一种InAs/GaSb超晶格生长方法
本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法，包括：在Sb源提供的Sb束流保护下，基于GaSb衬底生长缓冲层；打开As源针阀至第一开度，将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护，其中，所述第一开度大于所需的目标开度...
胡雨农周朋邢伟荣刘铭
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