折伟林
- 作品数：71 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光技术被引量：1
- 2023年
- 碲锌镉(CdZnTe)晶体性能优越,是高性能碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜的首选衬底材料。双面抛光是一种加工质量较高的碲锌镉晶片表面抛光方式,其具有效率高、平整度好、晶片应力堆积少的优点。但当碲锌镉晶片尺寸增大后,其加工难度也随之上升,易出现碎片多、加工速率慢、表面平整度差等问题。本文开展了大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光技术研究,深入分析了面积大于50 cm^(2)的非规则碲锌镉晶片双面抛光工艺中,不同参数对抛光质量的影响,通过模拟并优化晶片运动轨迹,优化抛光液磨粒粒型、抛光压力、抛光液流量等抛光工艺参数,实现了具有较高抛光速率和较好表面质量的大尺寸非规则碲锌镉晶片双面抛光加工,对进一步深入研究双面抛光技术有着重要意义。
- 李振兴柏伟王琰璋刘江高张瑛侠折伟林
- 关键词：碲锌镉粗糙度宽禁带半导体
- 一种制备锌组分可调且分布均匀的碲锌镉衬底的方法
- 本发明公开了一种制备锌组分可调且分布均匀的碲锌镉衬底的方法，本发明是采用真空高温热处理温场与源控制的衬底高温热处理工艺，并与衬底磨抛工艺相结合的设计，来实现碲锌镉衬底中Zn组分的成分设计和组分均匀性分布，从而有效解决现有...
- 范叶霞刘江高李乾李振兴折伟林王丛
- 一种非接触式晶片轮廓提取与匹配系统
- 本发明公开了一种非接触式晶片轮廓提取与匹配系统，所述非接触式晶片轮廓提取与匹配系统包括：可见光相机，位于晶片的正上方，可见光相机用于获取晶片的可见光照片；轮廓提取与匹配模块，与可见光相机通信连接，轮廓提取与匹配模块用于接...
- 李乾牛佳佳李达刘朋超折伟林
- 一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
- 本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
- 周朋刘铭折伟林邢伟荣尚林涛
- 一种衬底槽尺寸可调节的石墨舟
- 本申请公开了一种衬底槽尺寸可调节的石墨舟，包括：底托(4)，支撑包围结构，与舟盖(3)适配，形成有腔体结构，两相对的侧面开设有卡槽，用以插入滑条(1)；滑条(1)，插入所述底托(4)的卡槽内，所述滑条(1)上开有用于放置...
- 邢晓帅杨海燕折伟林郝斐胡易林曹鹏飞肖世杰
- 一种抛光夹具及对大尺寸碲锌镉衬底进行表面抛光方法
- 本发明公开了一种抛光夹具及对大尺寸碲锌镉衬底进行表面抛光方法，本发明中的抛光夹具为中心凸起的陶瓷圆盘，且抛光夹具是由中心凸起向外围平缓过度，通过微凸夹具能够有效控制了衬底的“塌边”现象，解决了传统抛光时易形成“中间厚四周...
- 柏伟王琰璋李振兴折伟林侯晓敏
- 一种碲镉汞薄膜组分的测试方法
- 本发明提供了一种碲镉汞薄膜组分的测试方法，包括：将待处理的碲镉汞薄膜固定在样品台上，并将样品台放入红外光谱仪的样品腔室中；对样品腔室和红外光谱仪分别抽真空，再将样品腔室温度降至预定温度；启动红外光谱仪，按照预定调节范围调...
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- 一种InSb晶片制备方法
- 本发明公开了一种InSb晶片制备方法，包括：将晶锭按照固定基准固定后，垂直于晶锭的轴线进行切割，以切出第一InSb晶片；确定第一InSb晶片的晶向，调整切割角度，在切开的所述晶锭，继续切割出第一目标晶向的端面；保持切割机...
- 柏伟董涛彭志强折伟林王成刚
- 文献传递
- 一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器
- 本申请公开了一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器，涉及半导体技术，包括衬底层、p型收集层、吸收层、过渡层、漂移增强层、i型倍增层及n型收集层等。通过设置漂移增强层HgCdTe层，Cd组分采用阶梯状缓变以保持能级缓慢过...
- 何温折伟林邢伟荣赵超王丹王鑫郝斐刘铭
- 承载碲锌镉样品的装置
- 本实用新型公开了一种承载碲锌镉样品的装置，该装置包括：方形平台，用于放置碲锌镉样品，方形平台的厚度不小于第一预设值；在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏，围栏用于保护碲锌镉样品位置移动导致滑落，围栏的高度不...
- 许秀娟巩锋周立庆折伟林朱西安
- 文献传递
