袁磊
- 作品数：8 被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 超硬薄膜β-C_3N_4的制备和表征被引量：5
- 2000年
- 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在 1.1～ 2 .0范围内。X射线衍射结构分析结果与计算的α -和 β -C3N4单相X射线的峰位和强度相比较 ,说明它是α -和 β -C3N4的混合物。FT -IR和Raman谱支持C -N共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到 349GPa。
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：超硬薄膜MPCVD
- 微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜
- 本发明涉及用微波等离子体化学气相沉积法合成碳氮薄膜及装置。将基片经过预处理后，置于工作腔内，按一定比例通入工作气体，然后将微波通入工作腔内，使气体放电产生等离子体从而沉积薄膜。用这种方法合成的氮化碳薄膜均匀、致密，无杂质...
- 田中卓袁磊顾有松段振军常香荣赵敏学
- 文献传递
- 微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜
- 本发明涉及用微波等离子体化学气相沉积法合成碳氮薄膜及装置。将基片经过预处理后,置于工作腔内,按一定比例通入工作气体,然后将微波通入工作腔内,使气体放电产生等离子体从而沉积薄膜。用这种方法合成的氮化碳薄膜均匀、致密,无杂质...
- 田中卓袁磊顾有松段振军常香荣赵敏学
- 文献传递
- 用CO和CH_4作为碳气源生长金刚石的比较
- 1994年
- 使用一氧化碳作碳源气体，用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅上制备金刚石薄膜，分析氧对金刚石生长的影响。
- 李奇志钱三德袁磊
- 关键词：CVD金刚石一氧化碳甲烷
- C_3N_4硬膜的人工合成和鉴定被引量：12
- 1999年
- 用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD)在硅和铂衬底上得到高质量的C3 N4薄膜 .计算了α C3 N4和β C3 N4单相X射线谱的峰位和强度 ,沉积膜的X射线谱具有两相的所有强峰 ,证明它是α 和β C3 N4的混合物 .总的N/C比在 1 0～ 2 0之间 .FT IR和Raman谱支持C—N共价键的存在 .体积弹性模量达到 34 9GPa .
- 顾有松张永平常香荣田中卓陈难先时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：氮化碳MPCVD硬膜化学气相沉积
- 理论预言的氮化碳超硬膜研究新进展被引量：12
- 1999年
- β－Ｃ３Ｎ４的理论预言发表之后，经过广大科学工作者近１０年的努力，已经取得了一些重要进展．理论上对碳氮化合物的研究已经更为广泛和深入．实验合成方面也取得了长足的进展．文章作者在Ｓｉ、Ｐｔ等基底上初步合成了晶态的β－Ｃ３Ｎ４薄膜，实验分析表明，薄膜主要由α－或β－Ｃ３Ｎ４晶相组成，成分接近理论值，Ｎ／Ｃ原子比接近４／３。
- 顾有松张永平常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：超硬材料氮化碳晶态
- 用微波等离子体CVD制备C_3N_4薄膜被引量：5
- 2000年
- 采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD），使用高纯N2（99．999％）和CH4（99．9％）作反应气体，在多晶Pt（9．99％）基片上沉积C3N4薄膜X射线能潜（EDX）分析结果表明N／C原子比为1．0～1．4；接近C3N4的化学比；X射线衍射谱（XRD）说明薄膜生要由β-和α-C3N4组成；X射线光电子谱（XPS）、傅立叶变换红外谱（FT－IR）和喇曼（Raman）谱说明在C3N4薄膜中存在C－N键.
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积
- 微波等离子体化学气相沉积法制备C_3N_4薄膜的研究被引量：2
- 2000年
- 本文采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜。X-射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0～1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;FT-IR谱和Raman谱支持C-N键的存在。
- 张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积
