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刘葳

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇本征
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇金属栅
  • 3篇电流
  • 3篇源区
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电场线
  • 2篇压应力
  • 2篇应力
  • 2篇埋氧层
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体技术
  • 2篇LDMOS器...
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇压电

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇刘葳
  • 6篇王向展
  • 4篇张易
  • 4篇于奇
  • 4篇曹建强
  • 2篇孙占杰

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
高开关电流比隧穿场效应晶体管器件机理与结构研究
随着MOSFET特征尺寸不断减小，器件短沟道效应等负面影响日益加剧。传统MOSFET器件亚阈值摆幅由于受到KT/q的理论限制,已经接近60mV/dec的极限值而无法进一步减小。因此伴随着器件阈值电压降低，亚阈区泄漏电流却...
刘葳
关键词：应力集中
一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管
本发明提出了一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域。本发明具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管包括半导体衬底1、源区2、本征区3、漏区4、栅氧层5、金属栅6、侧墙9，还包括位于本...
王向展刘葳张易孙占杰曹建强于奇
文献传递
采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件
本发明涉及半导体。本发明针对现有技术中，传统的LDMOS器件中提高击穿电压与降低导通电阻等之间存在矛盾的问题，提供采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底，半导体衬底上形成沟道掺杂区、漂移区、源区及漏...
王向展张易邹淅刘葳于奇
文献传递
纵向隧穿场效应晶体管
本发明涉及半导体技术。本发明提供了一种纵向隧穿场效应晶体管，能够在不增大器件泄漏电流的同时增大器件开态电流，其技术方案可概括为：纵向隧穿场效应晶体管由缓冲层设置在半导体衬底上方，源区、本征区及漏区分别设置于缓冲层上方，外...
王向展刘葳曹建强
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采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件
本发明涉及半导体。本发明针对现有技术中，传统的LDMOS器件中提高击穿电压与降低导通电阻等之间存在矛盾的问题，提供采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底，半导体衬底上形成沟道掺杂区、漂移区、源区及漏...
王向展张易邹淅刘葳于奇
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纵向隧穿场效应晶体管
本发明涉及半导体技术。本发明提供了一种纵向隧穿场效应晶体管，能够在不增大器件泄漏电流的同时增大器件开态电流，其技术方案可概括为：纵向隧穿场效应晶体管由缓冲层设置在半导体衬底上方，源区、本征区及漏区分别设置于缓冲层上方，外...
王向展刘葳曹建强
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一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管
本发明提出了一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域。本发明具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管包括半导体衬底1、源区2、本征区3、漏区4、栅氧层5、金属栅6、侧墙9，还包括位于本...
王向展刘葳张易孙占杰曹建强于奇
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