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甘志

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇半导体
  • 5篇碳化硅
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇源区
  • 3篇接触区
  • 3篇半导体技术
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇电路
  • 2篇堆叠
  • 2篇碳化
  • 2篇碳化硅器件
  • 2篇介质层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇功率器件
  • 2篇沟槽
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅器件
  • 2篇硅外延

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇甘志
  • 7篇张波
  • 7篇邓小川
  • 7篇萧寒
  • 4篇申华军
  • 2篇乔明
  • 2篇马金荣
  • 2篇张晓菲

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种堆叠SCR‑LDMOS的高压ESD保护电路
本发明提供了一种堆叠SCR‑LDMOS的高压ESD保护电路,属于电子技术领域。包括1个NLDMOS、1个电阻232和N个SCR‑LDMOS堆叠单元,所述SCR‑LDMOS堆叠单元包括一个SCR‑LDMOS器件和一个触发电...
乔明马金荣张晓菲甘志张波
文献传递
一种碳化硅器件的栅槽制作方法
本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法,主要是:根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀,在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层,然后采用腐蚀工艺对该...
邓小川萧寒户金豹申华军李妍月唐亚超甘志梁坤元张波
一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括:碳化硅N型重掺杂衬底,碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层,位于碳化硅N<Sup>...
邓小川萧寒唐亚超李妍月梁坤元甘志张波
文献传递
一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法
本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiC UMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点,提供一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括:首先在位于半导体衬底...
邓小川李妍月户金豹申华军萧寒唐亚超梁坤元甘志
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括:碳化硅N型重掺杂衬底,碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层,第一碳化硅N<Su...
邓小川萧寒李妍月唐亚超甘志梁坤元张波
文献传递
一种堆叠SCR-LDMOS的高压ESD保护电路
本发明提供了一种堆叠SCR-LDMOS的高压ESD保护电路,属于电子技术领域。包括1个NLDMOS、1个电阻232和N个SCR-LDMOS堆叠单元,所述SCR-LDMOS堆叠单元包括一个SCR-LDMOS器件和一个触发电...
乔明马金荣张晓菲甘志张波
文献传递
一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法
本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiC UMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点,提供一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括:首先在位于半导体衬底...
邓小川李妍月户金豹申华军萧寒唐亚超梁坤元甘志
文献传递
大功率射频LDMOS器件设计优化与建模
LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor)器件以其各方面的优势已经基本取代双极型器件成为射频领域的主流技术,由于RF LDMOS器件巨大的市场前景和重...
甘志
关键词:LDMOS器件
一种碳化硅器件的栅槽制作方法
本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法,主要是:根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀,在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层,然后采用腐蚀工艺对该...
邓小川萧寒户金豹申华军李妍月唐亚超甘志梁坤元张波
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括:碳化硅N型重掺杂衬底,碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层,位于碳化硅N<Sup>...
邓小川萧寒唐亚超李妍月梁坤元甘志张波
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共1页<1>
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