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萧寒

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇半导体
  • 6篇碳化硅
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇源区
  • 3篇接触区
  • 3篇半导体技术
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇碳化
  • 2篇碳化硅器件
  • 2篇介质层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇功率器件
  • 2篇沟槽
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅器件
  • 2篇硅外延
  • 2篇半导体功率器...
  • 2篇半导体制造

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇萧寒
  • 7篇邓小川
  • 7篇甘志
  • 5篇张波
  • 4篇申华军

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种碳化硅器件的栅槽制作方法
本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法，主要是：根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀，在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层，然后采用腐蚀工艺对该...
邓小川萧寒户金豹申华军李妍月唐亚超甘志梁坤元张波
高压4H-SiCPiN二极管的结构优化与实验研究
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）材料因其禁带宽度大、高临界击穿电场、高热导率和电子饱和漂移速度大等优越的电学和物理特性，在高温、高压、大功率和高频领域的应用前景极其广阔。4H-SiC PiN二极管具有高于...
萧寒
关键词：碳化硅PIN二极管结构优化击穿电压
一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法
本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiC UMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点，提供一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括：首先在位于半导体衬底...
邓小川李妍月户金豹申华军萧寒唐亚超梁坤元甘志
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层，位于碳化硅N<Sup>...
邓小川萧寒唐亚超李妍月梁坤元甘志张波
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层，第一碳化硅N<Su...
邓小川萧寒李妍月唐亚超甘志梁坤元张波
文献传递
一种碳化硅器件的栅槽制作方法
本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法，主要是：根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀，在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层，然后采用腐蚀工艺对该...
邓小川萧寒户金豹申华军李妍月唐亚超甘志梁坤元张波
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层，位于碳化硅N<Sup>...
邓小川萧寒唐亚超李妍月梁坤元甘志张波
文献传递
一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法
本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiC UMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点，提供一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括：首先在位于半导体衬底...
邓小川李妍月户金豹申华军萧寒唐亚超梁坤元甘志
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