赵远远
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件
- 一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件，属于半导体功率器件领域。本发明在SOI层上至少集成了nLIGBT、pLDMOS和nLDMOS中的两种或三种高压器件，同时还可集成低压MOS器件；不同的器件之间通过埋氧层和与埋氧...
- 乔明王猛胡曦庄翔赖力赵远远张波
- 文献传递
- 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法
- 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制...
- 乔明银杉赵远远何逸涛胡曦王猛庄翔
- 一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件
- 一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件，属于半导体功率器件领域。本发明在SOI层上至少集成了nLIGBT、pLDMOS和nLDMOS中的两种或三种高压器件，同时还可集成低压MOS器件；不同的器件之间通过埋氧层和与埋氧...
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- 一种薄层SOI复合功率器件
- 一种薄层SOI复合功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片SOI衬底上至少集成了一个高压PMOS器件、一个高压NMOS器件和一个低压CMOS晶体管。所述高压PMOS器件和高压NMOS器件表面具有在宽度方向上交错...
- 乔明罗波赵远远胡曦张波
- 文献传递
- 一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法
- 一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制...
- 乔明银杉赵远远章文通温恒娟向凡周锌
- 文献传递
- 高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究
- 2012年
- 为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。
- 王伟宾霍伟荣赵远远王姝娅束平张国俊
- 关键词：湿法刻蚀LDMOS刻蚀速率
- 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法
- 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制...
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- 文献传递
- 一种薄层SOI复合功率器件
- 一种薄层SOI复合功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片SOI衬底上至少集成了一个高压PMOS器件、一个高压NMOS器件和一个低压CMOS晶体管。所述高压PMOS器件和高压NMOS器件表面具有在宽度方向上交错...
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- 一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法
- 一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制...
- 乔明银杉赵远远章文通温恒娟向凡周锌
- 漂移区覆盖高k薄膜的高压LDMOS器件优化设计被引量：1
- 2012年
- 为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用"高k薄膜+氧化层+场板"结构的功率器件,有效降低了PN结弯角高电场和场板边缘峰值电场。使用器件仿真工具MEDICI进行验证,并分析高k薄膜厚度、氧化层厚度、高k薄膜相对介电常数以及栅场板长度对器件性能的影响,最终实现了耐压达到820V、比导通电阻降至13.24Ω.mm2且性能稳定的LDMOS器件。
- 王伟宾赵远远钟志亲王姝娅戴丽萍张国俊
- 关键词：LDMOS器件场板击穿电压导通电阻
