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刘承峰

作品数：6 被引量：23H指数：3
供职机构：桂林电器科学研究所更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇触头
  • 3篇触头材料
  • 2篇低压
  • 2篇电器
  • 1篇低压电
  • 1篇低压电器
  • 1篇电弧
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学分析
  • 1篇银合金
  • 1篇银金属氧化物
  • 1篇溶质
  • 1篇石墨
  • 1篇铜钨触头
  • 1篇内氧化
  • 1篇凝固
  • 1篇凝固速度
  • 1篇燃弧
  • 1篇主触头
  • 1篇钨含量

机构

  • 6篇桂林电器科学...
  • 1篇华通开关厂

作者

  • 6篇刘承峰
  • 2篇张明江
  • 1篇张家鼎
  • 1篇张洁

传媒

  • 3篇电工合金
  • 2篇电工合金文集
  • 1篇电工材料

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1997
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
银金属氧化物触头燃弧后表面组成的初步计算
1997年
本文基于银金属氧化物（AgMeO）触头电弧侵蚀形式，导出了触头燃弧后表面组成（MeO面积分数θ与初始组成（θ0），材料电气参数m，操作次数n的函数关系：θ=F（θ0，m，n），确定了电弧运动时融头表面平均温度；计算了AgCdO12，AgSnO212在相同电气条件下，操作一定次数后的表面θ值，结果表明，AgCdO触头表面出现CdO贫化，AgSnO2表面出现SnO2的富集。
刘承峰
关键词：银金属氧化物触头材料燃弧
银合金内氧化动力学分析被引量：14
1997年
本文从银合金内氧化过程中氧－银合金扩散模型出发，导出氧化厚度（x）与氧化时间（t）呈指数关系：■；得到其两种近似表达式：（1）直线型：■；（2）抛物线型：■。计算误差（在所考虑的温度T＝973K）均＜5％。本文认为影响银合金内氧化速度的主要因素为合金原子对氧原子扩散所具有的平均能垒（E）。分析了各种银合金的能垒（E）组成，并作了相关计算（T＝973K，P＝5atm）。利用直线型公式较好地解释了AgCd和AgSn合金在相同的工艺条件下（P，T）不同的氧化速度。由此，提出了加快银合金内氧化速度的途径。
刘承峰
关键词：低压电器触头动力学
扩大银/钨触头材料应用的可能性
1990年
本文介绍了国内外银钨触头材料的应用情况和存在的问题以及解决这些问题的研究动态。并进一步分析了银钨触头材料在我国低压线路保护电器中用作主触头的可能性。
林景兴刘承峰张明江
关键词：电器触头材料
低压塑壳开关主触头用铜石墨材料研究被引量：1
1991年
本文叙述了可应用于低压塑壳开关中作为主触头的铜石墨材料的研究结果。分析了不同石墨原材料、石墨含量、添加元素、烧结工艺及制作工艺方法对铜石墨触头材料机械物理性能和电性能的影响。
张明江林景兴刘承峰张洁陈名勇张家鼎
关键词：触头材料低压
一种估算合金液滴凝固速度的方法被引量：3
2000年
根据合金凝固溶质重布规律 ,导出了二元合金液滴凝固时初始过渡区长度 P与凝固速度 R的关系式 :P=5D/ K0 R(D——液相中溶质扩散系数 ,K0 ——平衡分配系数 ) ,从而提出了一种通过金相观测颗粒直径 d及溶质富集 (末端过渡 )区直径 de来估算凝固速度的方法。对银镉合金液滴的凝固速度作了初步估算。
刘承峰李立严
关键词：凝固速度
高钨含量铜钨触头材料裂纹机理探讨被引量：5
2001年
本文基于力学及热学观点 ,从 Cu W触头生产工艺出发结合电弧对触头的侵蚀作用 ,分析了Cu W触头材料裂纹形成机理及在后续燃弧过程中的扩展路径及相关行为。认为影响裂纹形成及扩展的主要因素为 :(1)钨粉粒度及空间架构 ;(2 ) Cu/ W之间的界面 ;(3)
李立严刘承峰
关键词：电弧
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