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孙加兴

作品数：13 被引量：27H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇光刻
  • 5篇射线
  • 5篇X射线
  • 5篇X射线光刻
  • 4篇微米
  • 4篇互连
  • 4篇互连线
  • 4篇T型栅
  • 3篇亚微米
  • 3篇噪声
  • 3篇深亚微米
  • 3篇光刻制作
  • 3篇PHEMT
  • 3篇串扰
  • 2篇电路
  • 2篇信号完整性
  • 2篇信号完整性分...
  • 2篇掩模
  • 2篇互连线延迟
  • 2篇集成电路

机构

  • 11篇中国科学院微...
  • 3篇天津大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇北京中电华大...

作者

  • 13篇孙加兴
  • 10篇叶甜春
  • 5篇叶青
  • 5篇谢常青
  • 4篇陈大鹏
  • 3篇李兵
  • 3篇周玉梅
  • 2篇胥兴才
  • 2篇伊福庭
  • 1篇杨清华
  • 1篇申云琴
  • 1篇黑勇
  • 1篇韩勇
  • 1篇张菊芳
  • 1篇彭良强
  • 1篇赵玲利
  • 1篇赵玲莉
  • 1篇韩敬东
  • 1篇陈朝晖
  • 1篇刘刚

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇北京同步辐射...
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 4篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 4篇2001
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
互连线间容性串扰对延迟的影响被引量：7
2005年
集成电路的性能越来越受到互连线间寄生效应的影响,特别是耦合电容的容性串扰,容性串扰引起互连线跳变模式相关的延迟。文中从E lm ore de lay定义的角度推导了互连线受同时跳变的阶跃信号激励时开关因子的大小,分析了互连线受非同时跳变的阶跃信号激励时耦合电容对互连线延迟的影响,给出了不同激励时的受害线延迟计算方法。分析表明,开关因子为0和2不能描述耦合电容对受害线延迟影响的下上限。H sp ice模拟结果证明了分析计算的准确性。
孙加兴叶青周玉梅叶甜春
X射线光刻多介质T型栅制作技术
现代应用需求使半导体器件向高频高速方向发展,PHEMT以其高频高速低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.我们采用X射线多层介质工艺制作T型栅,其形貌清晰,线条基本可...
孙加兴叶甜春谢常青申云琴李兵陈朝晖赵玲利陈大鹏胥兴才刘刚
关键词：X射线PHEMTT型栅光刻
文献传递
Signal Integrity for 0.18μm CMOS Technology被引量：3
2003年
The signal integrity problem in 0.18μm CMOS technology is analyzed from simulation.Several rules in this phenomenon are found by analyzing the crosstalk delay and noise,which are helpful for the future circuit design.
孙加兴叶青周玉梅叶甜春
关键词：CROSSTALK
X射线光刻技术研究
作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩膜、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电器制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.
叶甜春谢常青陈大鹏李兵胥兴才赵玲莉韩敬东胥俊鸿陈朝晖孙加兴杨清华
关键词：X射线光刻掩模光刻工艺
文献传递
串扰噪声及串扰噪声模型的分析被引量：3
2004年
随着集成电路设计到达深亚微米领域,互连线间的串扰噪声影响越来越大,日益成为与功耗、速度、面积等一样重要的影响因素,目前已发展出多个精确度和时间复杂度不同的串扰噪声模型。本文在对串扰噪声和现有串扰噪声模型深入理解的基础上,提出了三个新的串扰噪声模型,并将它们与现有的串扰噪声模型进行分析比较,指出它们各自的优缺点及适用范围,从而为选择高精确度、良好一致性、时间复杂度低的模型提供参考。
孙加兴叶青叶甜春郑赟吴松涛
关键词：串扰噪声互连线深亚微米集成电路设计时间复杂度
0.18μmCMOS工艺下的互连线延迟和信号完整性分析被引量：11
2005年
随着深亚微米工艺技术条件的应用和芯片工作频率的不断提高 ,芯片互连线越来越成为一个限制芯片性能提高和集成度提高的关键因素 :互连线延迟正逐渐超过器件延迟 ;互连线上信号传输时由于串扰引起的信号完整性问题已成为深亚微米集成电路设计所面临的一个关键问题。文中分析了芯片中器件和互连线的延迟趋势 ,模拟分析了 0 .1 8μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题。
孙加兴叶青周玉梅黑勇叶甜春
关键词：互连线延迟串扰信号完整性噪声
用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅被引量：3
2004年
采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .
孙加兴叶甜春陈大鹏谢常青伊福庭
关键词：X射线光刻PHEMTT型栅
多介质工艺X射线光刻制作T形栅被引量：1
2002年
半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。在PHEMT的制作工艺中 ,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的。采用X射线多介质工艺制作T形栅 ,其形貌清晰 ,线条基本可控 。
孙加兴叶甜春谢常青申云琴刘刚
关键词：光刻X射线T形栅半导体器件
深亚微米集成电路互连线的信号完整性分析
随着半导体工艺水平的进步和芯片运行频率的不断提高,以前被人们忽略的一些寄生效应影响日益显著,特别是信号完整性和电源完整性问题,它们严重的影响IC设计进程和设计质量.基于此,本文以深亚微米电路中出现的信号完整性和电源完整性...
孙加兴
关键词：信号完整性电源完整性互连线延迟串扰噪声
X射线光刻技术制作深亚微米T型栅的实用化研究
本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩模的研制、深亚微米X射线光刻系统的优化设计、掩模形变...
谢常青陈大鹏李兵孙加兴赵玲利胥兴才叶甜春
关键词：X射线光刻X射线掩模光刻技术半导体器件
文献传递
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