谢常青
- 作品数：504 被引量：256H指数：7
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 超低功耗阻变非挥发性存储器、其制作方法及操作方法
- 本发明公开了一种超低功耗阻变非挥发性存储器，包括：Si衬底；形成在该Si衬底之上的SiO<Sub>2</Sub>层；以及在该SiO<Sub>2</Sub>层表面形成的四端电极结构；其中，该四端电极结构包括第一至第四电极，...
- 孙海涛杨洪璋刘琦吕杭柄牛洁斌张培文路程李友龙世兵谢常青刘明
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- LPCVD直接生长纳米硅镶嵌氮化硅复合膜及力学性能研究
- 采用LPCVD方法在石英管式炉内制备SiNx薄膜,衬底为双面抛光的P型<100>硅片,气源为SiH2Cl2和NH3,通过改变沉积温度和反应气体的质量流量比可得到不同的SiNx薄膜。对采用上述方法制备的SiNx进行背面光刻...
- 陈大鹏叶甜春谢常青李兵赵铃莉韩敬东胥兴才
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- 双栅电荷俘获存储器及其制作方法
- 本发明公开了一种基于多晶硅纳米线场效应晶体管的双栅电荷俘获存储器及其制作方法。该双栅电荷俘获存储器具有两个多晶硅栅极，包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底之上的第一介质缓冲层；形成于该第一介质缓冲层之上的第二介质缓冲层；...
- 刘明王晨杰霍宗亮张满红刘璟王永谢常青
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- 一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器
- 本发明涉及一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器。所述用于大规模快闪存储器的灵敏放大器包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMO...
- 刘明张君宇张满红霍宗亮谢常青潘立阳陈映平刘阿鑫
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- 三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法
- 本发明公开了一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法，包括：在基片制备标准的CMOS器件；在该CMOS器件上覆盖一层钝化层；对该钝化层进行光刻、刻蚀形成通孔；沉积金属填充通孔，化学机械打磨将多余金属层去...
- 涂德钰刘明王慰商立伟谢常青
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- ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究被引量：3
- 2008年
- 对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生.
- 张庆钊谢常青刘明李兵朱效立陈宝钦
- 关键词：等离子体ICP干法刻蚀
- 多阻态自旋电子器件、读写电路及存内布尔逻辑运算器
- 本发明公开了一种多阻态自旋电子器件，包括：顶电极、底电极，分别与读写电路连接；磁隧道结，位于两电极间，从上至下依次包括：铁磁参考层、势垒隧穿层、铁磁自由层以及自旋轨道耦合层。铁磁自由层两端设置成核中心，用于产生磁畴壁；自...
- 邢国忠林淮张锋王迪刘龙谢常青李泠刘明
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- 一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法
- 本发明公开了一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，首先按照常规极紫外光刻掩模的制作方法制作出多层膜反射镜，再利用微纳米加工工艺技术在电子束抗蚀剂上制作出移相层结构，并大面积沉积吸收体材料铬，最后各向异性刻蚀...
- 李海亮谢常青刘明史丽娜朱效立李冬梅
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- 一种复合型波带片光子筛
- 本发明公开了一种复合型波带片光子筛，包括透光衬底和镀在其上的不透光的金属薄膜，所述不透光的金属薄膜上分布有一系列透光环带和若干透光小孔。其中，透光平面可以为熔融石英、普通玻璃、有机玻璃等透光材料，不透光薄膜为透光衬底上制...
- 谢常青潘一鸣朱效立贾佳刘明
- 0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
- 2000年
- 对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。
- 叶甜春谢常青李兵陈大鹏陈朝晖赵玲莉胥兴才刘训春张绵赵静
- 关键词：X射线光刻PHEMTT型栅
