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邢正伟

作品数:7 被引量:15H指数:2
供职机构:南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇多孔硅
  • 4篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 2篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 2篇自支撑
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇ZNO
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀法
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电容特性
  • 1篇电泳
  • 1篇电泳法
  • 1篇多孔
  • 1篇形貌
  • 1篇阳极氧化法

机构

  • 7篇南京航空航天...
  • 1篇常州大学
  • 1篇中利腾晖光伏...

作者

  • 7篇沈鸿烈
  • 7篇邢正伟
  • 3篇杨家乐
  • 2篇李金泽
  • 2篇李玉芳
  • 1篇王威
  • 1篇蒋晔
  • 1篇杨楠楠

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
晶硅掺镓抑制太阳电池光致衰减效应的研究被引量:7
2016年
采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化。发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50%左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41%和0.92%。这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象。
张三洋沈鸿烈魏青竹倪志春邢正伟姚函妤吴斯泰
关键词:少子寿命衰减率
自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备及其超级电容特性被引量:4
2016年
首先利用二步阳极氧化法制备了自支撑多孔硅,再利用真空抽滤法在自支撑多孔硅中沉积ZnO纳米籽晶层,最后用水热合成法使ZnO纳米籽晶进一步长大。采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析和光致发光谱分析对样品的形貌、元素及发光性能进行了表征。结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了ZnO纳米颗粒并形成了自支撑多孔硅/ZnO复合材料。将这种复合材料作为超级电容器电极进行了电化学测试,包括循环伏安、阻抗谱和恒电流充放电测试,该复合材料有较好的超级电容特性,比容量可达到15.7F/g,相比于自支撑多孔硅提高120倍。
邢正伟沈鸿烈唐群涛姚函妤杨楠楠
关键词:光致发光超级电容器
多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展
2016年
介绍了基于电化学腐蚀多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展,对多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的四个主要步骤:双层多孔硅的制备、活性超薄晶硅外延层生长、基于多孔硅的层转移和超薄晶硅太阳电池研制进行了概述,并对超薄晶硅太阳电池的前景进行了展望。
唐群涛沈鸿烈邢正伟
关键词:电化学腐蚀多孔硅太阳电池
氮气流量对磁控溅射AlN薄膜光学性能的影响被引量:1
2017年
Al N薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点。采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜。利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能。结果表明随着氮气流量的增加,Al N薄膜质量变好,N2流量为8 cm3/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm^(-1)处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜。在300~900 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94%;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV。
杨家乐沈鸿烈邢正伟蒋晔李金泽张三洋李玉芳
关键词:ALN薄膜直流磁控溅射透过率光学性能
CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性被引量:2
2016年
为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍射分析、光致发光谱分析对所制备样品的形貌、相结构、组份及发光性能进行研究.实验结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了CdS纳米颗粒,该CdS纳米颗粒衍射峰为(210);CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光峰峰位发生红移,且从570nm转移到740nm;电泳时间直接影响CdS纳米颗粒的填充量,导致相关的发光峰强度及发光峰位明显不同.
邢正伟沈鸿烈李金泽张三洋杨家乐姚函妤李玉芳
关键词:CDS阳极氧化法电泳法光致发光
多孔硅复合材料的制备与应用研究进展
2016年
多孔硅具有独特的结构和优异的物理、化学性能,基于多孔硅的复合材料性能更加优越,其应用前景值得期待。综述了多孔硅的起源及其发展过程。介绍了多孔硅复合材料的多种制备方法,其中重点介绍了电镀法和无电沉积法,讨论了沉积物形貌的影响因素以及每种沉积方法的优缺点。对多孔硅复合材料在多个领域的应用分别进行了概述,包括传感器、含能材料、锂离子电池、超级电容器和生物医学等,分析了复合结构对多孔硅性能提升的作用。最后展望了根据实际需求设计并可控制备多孔硅复合材料的前景。
杨家乐沈鸿烈邢正伟
关键词:电镀法
不同溶剂和Al掺杂对微波辅助合成ZnO纳米颗粒性能的影响被引量:1
2015年
利用Zn(NO3)2作为Zn源,AlCl3为Al源,以水和乙二醇为溶剂,采用微波辅助合成法制备了一系列ZnO纳米颗粒。用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对其相结构及形貌进行了表征和分析,结果表明,得到的纳米颗粒均为纯的ZnO纤锌矿结构,但溶剂种类对纳米颗粒形貌影响较大。水溶剂和乙二醇溶剂微波辅助合成法制备的ZnO纳米颗粒禁带宽度分别为2.85eV和3.12eV,掺Al后的禁带宽度缩减到2.78eV和3.10eV。ZnO纳米颗粒在450nm和560nm左右处有由于氧空位引起的较强蓝绿光发射,掺Al的ZnO光致发光峰只在560nm左右处出现。
姚函妤沈鸿烈唐群涛邢正伟王威
关键词:ZNO微波辅助合成禁带宽度光致发光
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