杨楠楠
- 作品数：5 被引量：19H指数：3
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程项目江苏省科技成果转化专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 银铜双原子MACE法可控制备倒金字塔多晶黑硅的结构与性能被引量：7
- 2017年
- 采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀法,室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,再利用纳米结构修正溶液在温度为50℃时对硅片进行各向异性重构,可控制备出不同尺寸的倒金字塔陷光结构.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了多晶硅表面形貌,用少子寿命测试仪测量了多晶硅钝化后的少子寿命.结果表明:影响倒金字塔结构尺寸的主要影响因素是制备态黑硅纳米结构的深度,当深度越深,最终形成的结构尺寸也越大;纳米结构修正溶液重构时间越长,所形成的倒金字塔结构尺寸越大,反射率也变大;经原子层沉积钝化后的倒金字塔结构中少子寿命随其尺寸的增大而增加;当倒金字塔边长为600nm时综合效果最佳,反射率为9.87%,少子寿命为37.82μs.
- 郑超凡沈鸿烈蒲天蒋晔李玉芳唐群涛杨楠楠金磊
- 关键词：倒金字塔
- 自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备及其超级电容特性被引量：4
- 2016年
- 首先利用二步阳极氧化法制备了自支撑多孔硅,再利用真空抽滤法在自支撑多孔硅中沉积ZnO纳米籽晶层,最后用水热合成法使ZnO纳米籽晶进一步长大。采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析和光致发光谱分析对样品的形貌、元素及发光性能进行了表征。结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了ZnO纳米颗粒并形成了自支撑多孔硅/ZnO复合材料。将这种复合材料作为超级电容器电极进行了电化学测试,包括循环伏安、阻抗谱和恒电流充放电测试,该复合材料有较好的超级电容特性,比容量可达到15.7F/g,相比于自支撑多孔硅提高120倍。
- 邢正伟沈鸿烈唐群涛姚函妤杨楠楠
- 关键词：光致发光超级电容器
- 反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究被引量：5
- 2017年
- 结合SiO_2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅,利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤层,优化了多晶黑硅结构。在多晶黑硅上用原子层沉积技术沉积一层Al_2O_3薄膜,并对样品进行快速热退火处理。结果表明,采用低浓度的NaOH溶液可以完全去除损伤层,在保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑;经450℃快速热退火后少子寿命达到29.34μs,表面复合速率为306cm·s-1,在可见光范围内平均反射率降至7.12%。
- 金磊李玉芳沈鸿烈蒋晔杨汪扬杨楠楠郑超凡
- 关键词：反应离子刻蚀表面钝化氧化铝
- 衬底温度对共溅射法制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响
- 2016年
- 研究了衬底温度对采用Cu_2ZnSnS_4靶和Cu靶共溅射制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析。结果表明制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长遵循不同规律。室温衬底条件下制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长遵循两步法,导致颗粒尺寸和元素分布不均;而在120~200℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu_2ZnSnS_4晶粒形成,这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用,促进了Cu_2ZnSnS_4晶粒的长大与元素的均匀分布。随着衬底温度的升高,Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu_2ZnSnS_4薄膜的结晶性变好,Cu_2ZnSnS_4薄膜的带隙先升高后减小至1.55eV。
- 李金泽沈鸿烈姚函妤杨楠楠李玉芳吴斯泰
- 关键词：衬底温度晶粒生长
- 二氧化硅纳米球对硼酸源扩散形成p＋硅层性能的影响被引量：3
- 2017年
- 为了提高B扩散掺杂层的性能,提出了用含有二氧化硅纳米球的硼酸溶液作为硼源对硅片进行扩散的方法。采用扫描电子显微镜、四探针和少子寿命测试等技术研究了SiO_2纳米球对硼酸源扩散形成p^+硅层性能的影响。综合分析发现,与未添加SiO_2纳米球相比,扩散后生成的富硼层厚度明显减小,由130nm降低到15nm;同时,扩散的均匀性由88.17%提高到了96.79%。此外,添加SiO_2纳米球进行扩散后p-n结深有所减小,少数载流子寿命明显提高。研究结果表明,SiO_2纳米球可以显著提高液态硼源扩散掺杂形成p^+硅层的性能。
- 杨楠楠沈鸿烈蒋晔金磊李金泽吴文文余双龙杨艳
- 关键词：硼扩散均匀性少子寿命
