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王英杰

作品数：32 被引量：1H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 21篇二极管
  • 10篇恒流
  • 10篇恒流二极管
  • 9篇外延层
  • 8篇电压
  • 7篇衬底
  • 6篇三极管
  • 5篇电极
  • 5篇电流
  • 5篇晶体管
  • 5篇负电极
  • 4篇单位面积
  • 4篇电场
  • 4篇电场强度
  • 4篇雪崩
  • 4篇偏压
  • 4篇温度稳定性
  • 4篇高压晶体管
  • 4篇管芯
  • 4篇二极管芯片

机构

  • 32篇杭州士兰集成...
  • 3篇成都士兰半导...

作者

  • 32篇王英杰
  • 13篇徐敏杰
  • 11篇王平
  • 11篇崔建
  • 5篇吴贵阳
  • 5篇刘宪成
  • 4篇崔健
  • 3篇韩健
  • 2篇范伟宏
  • 2篇饶晓俊
  • 2篇王平
  • 1篇孔建峰
  • 1篇张常军
  • 1篇韩非
  • 1篇韩飞
  • 1篇刘晓刚
  • 1篇邓晓虎
  • 1篇王明辉

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇中国集成电路

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新结构LED保护器件的设计研究
2014年
针对现有LED旁路保护器件的技术不足,提供了一种低成本但又能满足实际需求的LED局部损坏旁路保护器件的结构。所设计的保护器件集成了晶闸管、电阻及二极管等结构,以四层晶闸管为核心部件,利于提高瞬变电压的耐受能力;在其中增设两个二极管,分别用于调整器件正向工作时的启动电压和为反向工作时提供电流通道。经过流片、封装、测试,获得了主要性能参数。测试结果表明,当正向电压大于4.5V时,器件内部的可控硅结构被触发启动,器件性能符合设计要求。
王平徐敏杰王英杰刘宪成
关键词：LED保护器件晶闸管
高工作电压LED保护二极管及其结构和相应的制造方法
本发明提出一种高工作电压LED保护二极管，包括：PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块；PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接，PNP三极管的基极、P/N+反向...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
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高工作电压LED保护二极管及其结构
本实用新型提出一种高工作电压LED保护二极管，包括：PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块；PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接，PNP三极管的基极、P/N+...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
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恒流二极管
本实用新型提供了一种恒流二极管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
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LED保护二极管的结构及其制造方法
本发明的一种LED保护二极管芯片制造方法及其LED保护二极管芯片的结构和具有保护二极管芯片的保护装置，其步骤包括在P+衬底上进行N型外延、对N型外延表面进行氧化、光刻刻蚀、P+窗口进行P+硼扩散等步骤。LED保护二极管芯...
王英杰王平崔建徐敏杰
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恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种恒流二极管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
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平面高压晶体管的分压环的制造方法及其结构
本发明提出了一种平面高压晶体管的分压环制造方法及其结构，其主结和分压环在不同的工序中形成，采用本方法形成的平面高压晶体管，分压环占用面积小，可以降低平面高压晶体管成本，分压环杂质浓度与外延浓度相近，可以确保在PN结反向偏...
王英杰吴贵阳崔健王平
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采用刻槽工艺形成的恒流二极管及其制造方法
本发明提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；位于衬底正面上的外延层；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上；与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层；位于外延层中且两端分别与衬底和第二绝缘...
王英杰徐敏杰崔建
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双向触发二极管芯片
本实用新型提供一种双向触发二极管芯片，包括：形成于一衬底正面上的外延层；形成于所述衬底与外延层之间的埋层；形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区；形成于所述基区中的发射区；以及贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽...
王英杰徐敏杰刘宪成崔建
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采用刻槽工艺形成的恒流二极管及其制造方法
本发明提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；位于衬底正面上的外延层；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上；与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层；位于外延层中且两端分别与衬底和第二绝缘...
王英杰徐敏杰崔建
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