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文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 11篇二极管
  • 4篇电压
  • 4篇外延层
  • 4篇管芯
  • 4篇二极管芯片
  • 3篇电极
  • 3篇三极管
  • 3篇双向触发二极...
  • 3篇基极
  • 3篇集电极
  • 3篇工作电压
  • 3篇恒流
  • 3篇恒流二极管
  • 3篇发射极
  • 3篇反向二极管
  • 3篇负电极
  • 3篇衬底
  • 3篇触发二极管
  • 2篇灯具
  • 2篇电流放大

机构

  • 12篇杭州士兰集成...
  • 1篇兰州大学

作者

  • 12篇徐敏杰
  • 12篇崔建
  • 11篇王英杰
  • 5篇王平
  • 3篇韩健
  • 3篇刘宪成
  • 1篇杨建红
  • 1篇蔡雪原
  • 1篇王旭

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种恒流二极管,包括:衬底;形成于所述衬底上的外延层;形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区;形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区;形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
文献传递
高工作电压LED保护二极管及其结构和相应的制造方法
本发明提出一种高工作电压LED保护二极管,包括:PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块;PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接,PNP三极管的基极、P/N+反向...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
双向触发二极管芯片
本实用新型提供一种双向触发二极管芯片,包括:形成于一衬底正面上的外延层;形成于所述衬底与外延层之间的埋层;形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区;形成于所述基区中的发射区;以及贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽...
王英杰徐敏杰刘宪成崔建
文献传递
恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种恒流二极管,包括:衬底;形成于所述衬底上的外延层;形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区;形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区;形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
文献传递
高工作电压LED保护二极管及其结构和相应的制造方法
本发明提出一种高工作电压LED保护二极管,包括:PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块;PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接,PNP三极管的基极、P/N+反向...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
文献传递
高工作电压LED保护二极管及其结构
本实用新型提出一种高工作电压LED保护二极管,包括:PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块;PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接,PNP三极管的基极、P/N+...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
文献传递
恒流二极管
本实用新型提供了一种恒流二极管,包括:衬底;形成于所述衬底上的外延层;形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区;形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区;形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
文献传递
LED保护二极管的结构及其制造方法
本发明的一种LED保护二极管芯片制造方法及其LED保护二极管芯片的结构和具有保护二极管芯片的保护装置,其步骤包括在P+衬底上进行N型外延、对N型外延表面进行氧化、光刻刻蚀、P+窗口进行P+硼扩散等步骤。LED保护二极管芯...
王英杰王平崔建徐敏杰
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一种双向触发二极管芯片及其制作方法
本发明提供一种双向触发二极管芯片及其制作方法,利用双极型晶体管的发射极与基极串联电阻后,集电极与发射极之间的反向击穿电压随着电阻大小不同具有不同的负阻特性的原理,形成两个对称的且共用集电区的双极型晶体管,且每个平面双极型...
王英杰徐敏杰刘宪成崔建
文献传递
LED保护二极管的结构及其制造方法
本发明的一种LED保护二极管芯片制造方法及其LED保护二极管芯片的结构和具有保护二极管芯片的保护装置,其步骤包括在P+衬底上进行N型外延、对N型外延表面进行氧化、光刻刻蚀、P+窗口进行P+硼扩散等步骤。LED保护二极管芯...
王英杰王平崔建徐敏杰
共2页<12>
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