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杨振

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇底电极
  • 3篇电阻
  • 3篇存储器
  • 2篇单晶
  • 2篇电路
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇电压
  • 2篇读写
  • 2篇异或
  • 2篇阵列
  • 2篇树突
  • 2篇随机性
  • 2篇逻辑功能
  • 2篇混合集成电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道电阻
  • 2篇初始化
  • 2篇串扰

机构

  • 8篇北京大学

作者

  • 8篇杨振
  • 7篇杨玉超
  • 5篇黄如
  • 5篇张腾
  • 3篇杨宇翔

年份

  • 6篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种基于忆阻器混合集成的人工异或型树突及其实现方法
本发明公开了一种基于忆阻器的混合集成电路单元，实现对异或型树突的核心功能模拟。本发明利用二极管的非线性、忆阻器RESET的电学特性以及晶体管的沟道电阻可调的特点，将三者进行串联实现异或型树突的“异或”逻辑以及模拟抑制性信...
杨玉超杨振黄如
文献传递
一种读写可重构的忆阻器存算一体系统
本发明公开了一种读写可重构的忆阻器存算一体系统，包括由M×N个1T1R结构单元组成的忆阻器阵列，每一列设置一条字线WL和一条源线SL，每一行设置一条位线BL，WL与SL平行，而BL与WL和SL垂直；在1T1R结构单元中，...
杨玉超岳文硕张腾杨振杨宇翔
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管串联电阻精确提取及直流应力可靠性研究
随着半导体技术的不断发展，其在高速、高频、高压等应用领域的需求愈发强烈。GaN材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度宽、击穿电压高、化学和物理性质稳定、热导率高和耐腐蚀、抗辐射等优点。同时，由于GaN材料存在独特的自发极...
杨振
关键词：晶体管
一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底及其上的底电极‑阻变层‑储氧层‑离子阻挡层‑顶电极叠层结构，其中离子阻挡层的厚度为1~5 nm，成分为MO<Sub>n</Sub>，M为特...
杨玉超张腾杨振杨宇翔岳文硕黄如
基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备
本发明公开了一种基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括依次层叠的底部金属布线层、底电极、阻变介质层、顶电极和顶部金属布线层，在阻变介质层中引入局部单晶相，通过局部单晶相促进导电细丝的生...
杨玉超杨振张腾黄如
一种基于忆阻器混合集成的人工异或型树突及其实现方法
本发明公开了一种基于忆阻器的混合集成电路单元，实现对异或型树突的核心功能模拟。本发明利用二极管的非线性、忆阻器RESET的电学特性以及晶体管的沟道电阻可调的特点，将三者进行串联实现异或型树突的“异或”逻辑以及模拟抑制性信...
杨玉超杨振黄如
基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备
本发明公开了一种基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括依次层叠的底部金属布线层、底电极、阻变介质层、顶电极和顶部金属布线层，在阻变介质层中引入局部单晶相，通过局部单晶相促进导电细丝的生...
杨玉超杨振张腾黄如
一种同步读写观测的忆阻器阵列优化编程系统和编程方法
本发明公开了一种同步读写观测的忆阻器阵列优化编程系统和编程方法。该编程系统包括集成在芯片上的忆阻器阵列模块、忆阻器编程模块、忆阻器状态监测模块与逻辑判断模块，忆阻器阵列利用了SL与WL平行，二者与BL垂直的阵列架构，可以...
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