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杨玉超

作品数：70 被引量：20H指数：4
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 30篇自动化与计算...
  • 9篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 17篇电路
  • 14篇突触
  • 12篇神经网
  • 12篇神经网络
  • 11篇底电极
  • 10篇逻辑功能
  • 8篇网络
  • 7篇逻辑
  • 7篇集成电路
  • 7篇存储器
  • 6篇电压
  • 6篇电阻
  • 6篇调制
  • 6篇涨落
  • 6篇微缩
  • 6篇离子
  • 5篇铁电
  • 5篇架构
  • 5篇并行度
  • 4篇单极性

机构

  • 70篇北京大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇复旦大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇国家自然科学...
  • 1篇中国科学院自...
  • 1篇《学报》编辑...

作者

  • 70篇杨玉超
  • 57篇黄如
  • 18篇张腾
  • 11篇袁锐
  • 10篇殷明慧
  • 7篇杨振
  • 4篇王宗巍
  • 4篇蔡一茂
  • 3篇杨宇翔
  • 2篇王阳元
  • 1篇张兆翔
  • 1篇何晖光
  • 1篇曾晓洋
  • 1篇黄铁军
  • 1篇丛杨
  • 1篇韩军伟
  • 1篇李永杰
  • 1篇李志宏
  • 1篇黎明
  • 1篇朱涛

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学基金
  • 1篇中国基础科学
  • 1篇国防科技
  • 1篇中国图象图形...
  • 1篇中国科学：信...

年份

  • 27篇2023
  • 5篇2022
  • 8篇2021
  • 10篇2020
  • 11篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 3篇2016
共 70 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底及其上的底电极‑阻变层‑储氧层‑离子阻挡层‑顶电极叠层结构，其中离子阻挡层的厚度为1~5 nm，成分为MO<Sub>n</Sub>，M为特...
杨玉超张腾杨振杨宇翔岳文硕黄如
一种基于1T2R阻变存储器阵列的存内计算加速器及其应用
本发明公开一种基于1T2R阻变存储器阵列的存内计算加速器及其应用，属于计算技术领域。本发明通过将1 bit有符号权重存储在同一列的两个1T2R阻变存储器单元构成的电压差分对中，使得1T2R阻变存储器阵列能在同一列内完成有...
杨玉超荆兆坤燕博南黄如
基于易失性阈值阻变忆阻器的自适应人工脉冲神经元电路
本发明公开了一种基于易失性阈值阻变忆阻器的自适应人工脉冲神经元电路，包括基于易失性阈值阻变忆阻器的LIF电路和自适应控制电路，所述LIF电路由一个易失性阈值阻变忆阻器串联一个读出电阻<I>R</I><Sub>1</Sub...
杨玉超张柏骏袁锐黄如
一种基于忆阻器的电荷型存内计算实现方法及其单元结构
本发明公开了一种基于忆阻器的电荷型存内计算实现方法及其单元结构。本发明通过包含忆阻器、晶体管和电容的单元结构将忆阻器阻态转换成电荷存储在电容中，不同单元结构转换后的电荷再通过电容耦合的方式实现计算功能。区别于传统将忆阻器...
杨玉超闫龙皞唐希源黄如
一种单双极混合高效忆阻逻辑电路及其控制方法
本发明公开了一种单双极混合高效忆阻逻辑电路及其控制方法。本发明通过构建混合忆阻逻辑单元，能够在同一单元实现多种布尔逻辑功能，且每一种布尔逻辑仅需一步逻辑操作即可完成；通过扩展混合忆阻逻辑单元进一步构建单极性器件包围双极性...
杨玉超徐丽莹张腾黄如
文献传递
神经形态器件现状与未来被引量：5
2016年
为解决现有冯·诺依曼计算机面临的低智能、高能耗、低容错等问题,"类脑计算"应运而生。"类脑计算"借鉴大脑的体系结构和信息处理方式,基于神经形态器件构建逻辑与存储相融合的计算硬件,旨在实现更为灵活和智能的信息处理与计算模式。在阐述"类脑计算"起源与发展现状的基础上,研究了人脑神经网络信息处理机制,重点介绍了神经形态器件的研发态势。神经形态器件作为类脑计算芯片和系统的基本组成单元,对于类脑智能的实现至关重要,因此研发能够高精度模拟生物突触、神经元信息处理功能的微纳器件是当前的研究热点。
殷明慧杨玉超黄如
关键词：神经网络神经元突触
一种基于离子栅MoS<Sub>2</Sub>晶体管的不平衡三值逻辑门的实现方法
本发明公开了一种基于离子栅MoS<Sub>2</Sub>晶体管的不平衡三值逻辑门的实现方法，利用正脉冲引起的离子栅MoS<Sub>2</Sub>晶体管的源漏电流值差异区分不同逻辑信号组合，实现了不平衡三值逻辑门。对于单个...
杨玉超刘昌袁锐黄如
文献传递
一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用
本发明公开了一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用。所述的全忆阻器神经网络通过底电极、第一功能层和中间电极形成忆阻突触器件，之后再覆盖第二功能层，在第二功能层上覆盖顶电极形成忆阻神经元器件，从而构建成全忆阻器神经网络。通...
杨玉超段庆熙荆兆坤黄如
一种通过电学信号消除电阻失配的忆阻系统及校准电路
本发明公布了一种通过电学信号消除电阻失配的忆阻系统及校准电路。所述忆阻系统中，忆阻器件与一个电阻并联后两端再分别串联一个电阻，忆阻器件可以作为后期附加层堆叠在集成电路芯片之上，通过校准电路根据输入的电学信号改变忆阻系统的...
杨玉超孙新昊张腾黄如
文献传递
一种具有环形侧壁的高一致性忆阻器及其制备方法
本发明公开了一种具有环形侧壁的高一致性忆阻器及其制备方法。所述忆阻器包括衬底和位于衬底上的电极‑阻变层‑储氧层‑电极结构，其特征在于，所述储氧层带有环形侧壁，环形侧壁的材料相较于储氧层具有更高的电阻率。本发明通过常规CM...
杨玉超张腾黄如卜伟海汪涵
文献传递
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