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陶倩倩
作品数:
4
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供职机构:
北京大学
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相关领域:
电子电信
经济管理
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合作作者
王金延
北京大学
张斌
北京大学
吴文刚
北京大学
王鑫
北京大学
谢勇
北京大学
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机构
4篇
北京大学
作者
4篇
陶倩倩
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王鑫
3篇
吴文刚
3篇
张斌
3篇
王金延
1篇
谢勇
年份
3篇
2022
1篇
2014
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一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用
本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管在器件宽度方向上进行交叉设置,形成叉指并联结构,且MIS‑H...
张斌
王金延
李梦军
陶倩倩
王鑫
汪晨
吴文刚
一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法
本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法,属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法,湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体,因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤;同时...
张斌
王金延
李梦军
陶倩倩
王鑫
汪晨
吴文刚
谢勇
公司债券信用风险溢价的实证分析
公司债券是一种有效的直接融资方式,能够帮助公司解决资金不足的问题,是现代金融市场的重要组成部分。信用风险溢价是指公司给予投资者债券到期收益率中高于相同剩余期限无风险利率的部分,用于补偿投资者由于投资本公司债券而承受的高于...
陶倩倩
关键词:
公司债券
到期收益率
信息不对称
一种集成MIS-HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用
本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管在器件宽度方向上进行交叉设置,形成叉指并联结构,且MIS...
张斌
王金延
李梦军
陶倩倩
王鑫
汪晨
吴文刚
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