肖舒
- 作品数：16 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学文化科学更多>>
- 一种金属等离子体源及其应用
- 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶和电子阻挡屏极，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺设于外壳的中空的内腔中，且不与外壳导通，电子阻挡屏极由导电材料制备，同样设置于外壳的中空内腔中，...
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- 文献传递
- 一种CrN涂层、制备方法及应用
- 本发明公开了一种CrN涂层、制备方法及应用，其中，CrN涂层为纳米孪晶结构。本发明采用筒形金属等离子体源结合磁控溅射技术，对金属离子的纯化和能量的精确控制，可实现高密度纳米孪晶结构在CrN陶瓷涂层中的生成。纳米孪晶结构能...
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- 筒内高功率脉冲磁控放电的电磁控制与优化被引量：5
- 2017年
- 高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术被提出以来就受到广泛关注,其较高的溅射材料离化率结合适当的电磁控制,可产生高致密度、高结合力和高综合性能的涂层,但其沉积速率低、放电不稳定、溅射材料离化率差异较大.我们设计了一种筒形溅射源,通过对结构的设计优化,利用类空心阴极放电效应,使问题得到解决.然而其靶面切向磁场不均匀,电子逃逸严重,进而造成等离子体密度偏低,且放电不均匀.本文通过对其放电和等离子体分布进行仿真,提出电场阻挡和磁铁补偿两种方案,研究了不同电场控制条件下的放电行为和等离子体分布.结果表明:增加电子阻挡屏极可以生成势阱,从而有效抑制电子从边缘的逸出;优化后的磁铁补偿可以显著提高靶面横向磁场的均匀性及靶面利用率.两种方案同时作用时,Hi PIMS放电刻蚀环面积更大、且更加均匀.
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- 关键词：磁场补偿
- 金属等离子体源及应用
- 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶、磁性元件和抑制磁性元件，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺于外壳的中空内腔，不与外壳导通，磁性元件铺于磁控靶与外壳间，抑制磁性元件成对的安装于磁...
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- 文献传递
- 用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法
- 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体...
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- 筒形高功率脉冲磁控溅射源的开发与放电特性被引量：7
- 2016年
- 高功率脉冲磁控溅射以较高的溅射材料离化率及其所带来的高致密度、高结合力和高综合性能成为物理气相沉积领域的新宠,然而其沉积速率低、放电不稳定、溅射材料离化率不一等缺点阻碍了其在工业界的推广和应用.针对高功率脉冲磁控溅射技术固有的缺陷,我们从靶源出发,设计了一种筒形溅射源,将放电限制在筒形溅射源内部,放电不稳定喷溅出的"金属液滴"和溅射出来但并未离化的溅射材料无法被负电位的引出栅引出而影响薄膜沉积,只有离化的溅射材料可以引出并沉积形成薄膜,而电子将在筒形溅射源内部反复振荡,和未离化的溅射原子剧烈碰撞,带动进一步离化.本文通过磁场和放电的模拟发现筒形溅射源内部电子、离子呈花瓣状分布,8条磁铁均匀分布的结构具有最优的靶材利用率.据此开发的筒形溅射源可在高功率脉冲磁控溅射条件下正常放电,其放电靶电流随靶电压变化呈现出高功率脉冲磁控溅射典型的伏安特性特征,复合电流施加后,有明显的预离化作用.溅射"跑道"面积占靶材表面的60%以上,筒形溅射源中心的离子电流波形与靶电流波形类似,但相对靶电流延迟约40μs,数值约为靶电流的1/10.结果证明,筒形溅射源可有效地应用到高功率脉冲磁控溅射放电中,并成为促进其推广和应用的一种新路径.
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- 关键词：模拟仿真放电特性
- 一种筒形溅射阴极及离子引出系统
- 本发明公开了一种筒形溅射阴极及离子引出系统，其中，筒形溅射阴极包括具有中空部的筒形壳体，所述筒形壳体内沿径向由外至内依次设置有：用于屏蔽所述筒形壳体以外的带电体的屏蔽罩、抵接在所述屏蔽罩上起绝缘隔离作用的定位套、抵接在所...
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- 文献传递
- 一种高时间分辨的光谱检测设备及应用
- 本发明公开了一种高时间分辨的光谱检测设备及应用，其中，光谱检测设备包括光谱仪，以及与所述光谱仪电连接的单光子计数器；所述光谱仪包括：光信号采集模块、分光模块和信号增强模块；所述单光子计数器用于获得所述脉冲光源一个脉冲内的...
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- 一种高时间分辨的质谱检测设备及应用
- 本发明公开了一种高时间分辨的质谱检测设备，包括依次电连接的电容模块、信号转换器以及质谱仪；所述质谱仪用于分析等离子体的粒子种类、能量；所述电容模块，用于接受待测试系统中的脉冲模拟信号，进行脉冲反相交换，并输出控制信号；所...
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- 用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法
- 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体...
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