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王野

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇增强型
  • 2篇刻蚀
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等离子体损伤
  • 1篇源极
  • 1篇湿法
  • 1篇迁移率
  • 1篇漏极
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇化湿
  • 1篇化湿法
  • 1篇MOSFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应迁移率

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇王野
  • 1篇王茂俊
  • 1篇郝一龙
  • 1篇陶明

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于数字化湿法栅刻蚀技术形成GaN增强型MOSFET及制备方法
基于数字化栅刻蚀技术形成GaN增强型MOSFET及制备方法，本发明涉及宽禁带化合物半导体材料的电力电子器件及高效率功率开关领域。本发明白下而上包括衬底、GaN缓冲层、GaN、AlGaN，腐蚀掩膜介质层和绝缘栅介质层，且在...
王茂俊王野陶明郝一龙
文献传递
基于湿法栅刻蚀技术的GaN基增强型MOSFET的研究
增强型GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）在下一代高效率高压功率器件的非常有广阔的应用前景。但是传统的AlGaN/GaN异质结很难形成增强型，因为在沟道中存在大量的二维电子气(2DEG)，所以一般情况都处于耗尽型。由于...
王野
关键词：MOSFET场效应迁移率
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共1页<1>
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