陈伟杰
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中山大学更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 量子阱前应力变化对Si衬底GaN/InGaN量子阱的影响
- GaN/InGaN基高In组分量子阱LED的生长是继蓝光GaN/InGaN量子阱LED之后备受关注的研究,但是相比蓝光LED,其发光效率,材料稳定性仍有一定差距.目前黄-绿光LED是LED产业的一个研究重点,但是其应用还...
- 柳铭岗张佰君杨亿斌向鹏陈伟杰韩小标林秀其臧文杰吴志盛刘扬
- 一种GaN纳米线及其制备方法
- 本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法，GaN纳米线制备方法步骤包括：通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜，并在此外延片上制备图形化掩蔽膜，基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字...
- 张佰君陈伟杰林佳利
- Si衬底垂直导通AlN/GaN DBR结构GaN基LED
- 目前,Si衬底GaN基LED已经得到了广泛的研究,其性能也得到了很大的提高,但是要实现量产还面临着不小的困难.这主要是因为GaN受到Si衬底的张应力导致龟裂以及Si衬底对光的吸收作用.因此,为了提高Si衬底LED的发光效...
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- 一种GaN纳米线及其制备方法
- 本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法，GaN纳米线制备方法步骤包括：通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜，并在此外延片上制备图形化掩蔽膜，基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字...
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- 文献传递
- 内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法
- 本发明公开一种内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法，发光器件包括初始发光器件、透明导电层、p型电极和n型电极；初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化5掩蔽膜、选择性外延...
- 张佰君陈伟杰林佳利胡国亨
- GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法
- 本发明公开了一种基于选择性区域外延生长技术的GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法。本发明器件制作过程包括：（A）在衬底上制备条形排列的掩蔽膜并通过选取性区域外延技术生长条型结构n型GaN阵列，（B）在条型结构n型Ga...
- 张佰君陈伟杰
- 文献传递
- 高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制被引量：1
- 2015年
- 采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率。实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%。
- 林秀其柳铭岗杨亿斌任远陈扬翔向鹏陈伟杰韩小标藏文杰林佳利罗慧廖强张佰君
- 关键词：表面粗化
- Si衬底GaN材料外延生长中的应力调控及发光器件研究
- 张佰君陈扬翔江健良林秀其藏文杰林佳利罗慧廖强刘扬向鹏柳铭岗杨亿斌陈伟杰韩小标胡钢伟林艳胡国亨
- GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法
- 本发明公开了一种基于选择性区域外延生长技术的GaN基LED阵列微显示器件及其制作方法。本发明器件制作过程包括：（A）在衬底上制备条形排列的掩蔽膜并通过选取性区域外延技术生长条型结构n型GaN阵列，（B）在条型结构n型Ga...
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- 文献传递
- 一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法
- 本发明公开一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法，其中带有漏电限制层的三维微纳发光器件包括初始发光器件、漏电限制层、透明导电层、p型电极和n型电极；初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物...
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