刘波
- 作品数：54 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- SiC衬底AlN缓冲层的应变对GaN外延层质量的影响
- 2012年
- 在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法生长GaN外延材料。研究了AlN缓冲层的应变状态对GaN外延层应变状态和质量的影响。使用原子力显微镜和高分辨率X射线双晶衍射仪观察样品表面形貌,表征外延材料质量的变化,使用高分辨喇曼光谱仪观察外延材料应力的变化,提出了基于外延生长的应变变化模型。实验表明,GaN外延层的张应变随着AlN缓冲层应变状态的由压变张逐渐减小,随着GaN张应力的逐渐减小,GaN位错密度也大大减少,表面形貌也逐渐变好。
- 王丽房玉龙尹甲运敦少博刘波冯志红
- 关键词：GAN外延层ALN缓冲层
- AlGaN基日盲型紫外探测器的研制被引量：3
- 2008年
- 采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaNpin紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为4.6V,零偏动态电阻为1012～1013Ω,常温下,该器件在10V反向偏压下的暗电流约为15nA,响应峰值波长为275nm,日盲区/可见盲区响应比接近103。
- 尹顺政李献杰蔡道民刘波冯志宏
- 关键词：日盲紫外探测器刻蚀
- GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法
- 本发明公开了一种GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法，涉及制造半导体器件的方法。该方法应用于制作GaN基异质结场效应晶体管（HFET）、发光二极管（LED）和激光器（LD）材料与器件，其采用金属有机化...
- 刘波冯志红张雄文敦少博尹甲运邢东蔡树军
- 文献传递
- 陷阱对GaN HEMT电应力失效影响研究
- 本文通过分析比较不同直流偏置条件下的实验结果,研究了陷阱对GaN HEMT器件电应力失效的影响,提出器件中本来存在的陷阱和施加电应力时新产生的陷阱综合作用,俘获电子引起暂时性可逆的退化,而AlGaN层发生逆压电极化效应导...
- 房玉龙敦少博李静强刘波尹甲运蔡树军冯志红
- 用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法
- 本发明公开了一种用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法，属于半导体器件制造领域。包括以下步骤：（1）将硅衬底清洗干净；（2）将清洗干净的硅衬底放入CVD设备反应室内，升至温度T，并保温，700℃≤T＜硅的熔点...
- 尹甲运冯志红李佳刘波王晶晶敦少博
- 文献传递
- 太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片
- 本发明提供了一种太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片，属于半导体技术领域，包括制备外延晶圆片；肖特基二极管基本结构制作；减薄外延晶圆片；在减薄后的外延晶圆片背面涂预设厚度的低介质胶，形成低介电常数衬底；在...
- 杨大宝邢东刘波赵向阳冯志红
- 文献传递
- AlGaN基pin型日盲紫外探测器材料的研制
- 本文采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGa材料,通过优化AlN和AlGaN 材料的生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ等工艺条件,得到了高质量的AlN、AlGa材料,AlN双晶衍射ω(002)半...
- Liu Bo刘波Yuan Fengpo袁凤坡Yin Jiayun尹甲运Sheng Baicheng盛百城Fang Yulong房玉龙Feng Zhihong冯志红
- InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法
- 本发明公开了InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，涉及半导体器件或部件的制造或处理技术领域，包括以下步骤：（1）碱性腐蚀液腐蚀In<Sub>x</Sub>AlN：将待腐蚀In<Sub>x</Sub>AlN晶圆片用碱性...
- 邢东冯志红王晶刘波房玉龙敦少博
- 文献传递
- Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析
- 2010年
- 通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温下生长时,GaN材料表面会产生大量六角形缺陷。通过电子能谱(EDS)分析得出GaN六角形缺陷中含有大量的Si元素以及少量的Ga和Al元素,其中Si元素从Si衬底中高温扩散而来。在降低AlN形核层的生长温度后,GaN材料表面的六角形缺陷随之消失。表明AlN形核层在较低的温度下生长时可以有效地抑制Si衬底表面Si原子的扩散,减少外延层中由于衬底Si反扩散引起的缺陷。
- 尹甲运刘波王晶晶周瑞李佳敦少博冯志红
- 关键词：GAN温度SI衬底
- 高温形核层对蓝宝石衬底AlN薄膜质量的影响
- 2014年
- 采用两步生长模式的金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜,通过高分辨X射线衍射和原子力显微镜分析方法,研究发现蓝宝石衬底上外延生长的AlN薄膜晶体质量与高温AlN形核层的形核密度及晶粒大小密切相关,而形核密度决定于高温AlN形核层的初始铝体积流量,晶粒的大小取决于其厚度。优化了高温AlN形核层的初始铝体积流量和厚度等工艺参数。当高温AlN形核层的初始铝体积流量为30 cm3/min、生长时间为9 min时,高温AlN形核层的形核密度和晶粒大小最优,外延生长的AlN薄膜位错密度最低,表面最平整,晶体质量最好。
- 刘波尹甲运吕元杰敦少博冯志红蔡树军
- 关键词：蓝宝石衬底
