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赵善麒

作品数：247 被引量：19H指数：2
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
发文基金：江苏省科技成果转化专项资金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 237篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 39篇电子电信
  • 20篇自动化与计算...
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇建筑科学

主题

  • 76篇功率模块
  • 51篇半导体
  • 35篇晶体管
  • 32篇芯片
  • 32篇封装
  • 31篇散热
  • 28篇基板
  • 27篇二极管
  • 26篇功率
  • 22篇电感
  • 19篇多晶
  • 19篇多晶硅
  • 19篇封装结构
  • 19篇IGBT
  • 17篇氧化层
  • 16篇源区
  • 15篇金属
  • 15篇功率半导体
  • 15篇功率器件
  • 13篇陶瓷

机构

  • 247篇江苏宏微科技...
  • 1篇河海大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 247篇赵善麒
  • 111篇王晓宝
  • 66篇张景超
  • 59篇刘利峰
  • 58篇戚丽娜
  • 30篇林茂
  • 18篇张敏
  • 18篇张正义
  • 13篇张斌
  • 11篇郑军
  • 11篇张兴华
  • 11篇张银
  • 6篇刘清军
  • 5篇吴迪
  • 3篇钱锴
  • 2篇巩鹏亮
  • 2篇李晨
  • 2篇李栋良
  • 1篇盛况
  • 1篇傅强

传媒

  • 5篇电力电子技术
  • 1篇常州工学院学...
  • 1篇2008年中...
  • 1篇中国电器工业...

年份

  • 17篇2024
  • 23篇2023
  • 17篇2022
  • 45篇2021
  • 21篇2020
  • 17篇2019
  • 15篇2018
  • 24篇2017
  • 8篇2016
  • 13篇2015
  • 16篇2014
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 6篇2009
  • 13篇2008
共 247 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型SiC MOSFET功率器件
本发明提供了一种新型SiC MOSFET功率器件，包括：衬底；漏极金属层，漏极金属层设置于衬底下；漂移区，漂移区设置于衬底上；源区，源区设置于漂移区上；阱区，阱区设置于源区上；沟道区，沟道区设置于源区上；沟槽，沟槽平行于...
张景超赵善麒
文献传递
沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构
本实用新型涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构，所述沟槽栅的栅孔引线顶部与栅极金属相接、底部与阻挡氧化层和多晶硅栅引线相连，所述的多晶硅栅引线通过栅氧化层设置在由阻挡氧化层和场氧化层形成的引线沟槽内，多晶硅栅引线是...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒王晓宝
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一种IGBT功率模块封装结构
本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其是一种IGBT功率模块封装结构，包括铜底板、外壳、主电极和栅极端子，外壳安装在铜底板上，铜底板上设有覆铜陶瓷基板，主电极焊接在覆铜陶瓷基板上，主电极为叠层母排，覆铜陶瓷基板的周边设有绝...
纪伟张若鸿王晓宝赵善麒
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功率半导体器件
本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，其上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率...
陈超张海泉麻长胜王晓宝赵善麒
文献传递
功率半导体器件
本发明提供了一种功率半导体器件，包括：上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，其上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导...
陈超张海泉麻长胜王晓宝赵善麒
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新型IGBT功率半导体器件
本实用新型公开了一种新型IGBT功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，所述缓冲区设置于所述衬底上；基区，所述基区设置于所述缓冲区上；多个真栅极单元，多个所述真栅极单元设置于所述基区上，其中每个所述真栅极单元两侧分别设有假沟...
俞义长赵善麒
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带散热功能的功率模块
本发明涉及一种带散热功能的功率模块，包括散热外壳和功率模块单元，各第一半导体芯片、各第二半导体及信号端和电极焊接固定在下层DBC基板上并由下层DBC基板上阻焊层隔离，上层DBC基板通过上焊料孔内的焊料与下层DBC基板的下...
张正义麻长胜王晓宝赵善麒
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浅结二极管芯片的制作方法
本发明涉及一种浅结二极管芯片的制作方法，(1)在硅片氧化并一面或双面进行光刻、腐蚀形成有源区窗口；(2)将砷原子或磷原子注入到有源区窗口；(3)在硅片表面淀积多晶硅层；(4)将硅片推入800℃～950℃的磷扩散炉进行磷扩...
刘利峰王晓宝赵善麒
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一种散热装置及功率半导体模块
本实用新型涉及半导体机械领域，具体涉及一种散热装置及功率半导体模块，一种散热装置包括承载座和至少一个冷却流道，所述承载座上承载有若干发热件，所述冷却流道形成于所述承载座上，所述冷却流道从冷却液进口朝向冷却液出口方向设置有...
徐加辉陈超周祥张海泉麻长胜赵善麒
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高气密性的功率模块
本实用新型提供一种高气密性的功率模块，包括：覆金属陶瓷基板、芯片、功率端子、金属线、硅凝胶、气密涂层、壳体和硅橡胶，其中，所述芯片焊接在所述覆金属陶瓷基板的导电图形面上，所述功率端子焊接在所述覆金属陶瓷基板的导电图形面上...
陈超张海泉麻长胜常东来赵善麒
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