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张建豪

作品数：40 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏理工学院更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇中文专利

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 30篇相变存储
  • 30篇相变存储器
  • 30篇存储器
  • 18篇晶格
  • 18篇超晶格
  • 16篇功耗
  • 12篇纳米
  • 11篇低功耗
  • 10篇电压
  • 10篇电压比
  • 10篇多层膜
  • 10篇多层膜结构
  • 8篇溅射
  • 8篇SUB
  • 8篇SB
  • 7篇相变
  • 6篇热稳定
  • 6篇热稳定性
  • 6篇膜材料
  • 6篇纳米薄膜材料

机构

  • 40篇江苏理工学院

作者

  • 40篇胡益丰
  • 40篇张建豪
  • 40篇朱小芹
  • 38篇袁丽
  • 35篇吴卫华
  • 35篇邹华
  • 29篇眭永兴
  • 25篇吴世臣
  • 20篇郑龙
  • 19篇薛建忠
  • 19篇孙月梅
  • 8篇吴小丽
  • 6篇沈大华
  • 5篇翟良君
  • 3篇张丹
  • 2篇周健
  • 2篇卢雅琳
  • 2篇陈奥
  • 2篇陈雅蓉
  • 1篇吴晓丽

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 15篇2018
  • 6篇2017
  • 8篇2016
  • 4篇2015
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种Sb<sub>70</sub>Se<sub>30</sub>/SiO<sub>2</sub>多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种Sb<Sub>70</Sub>Se<Sub>30</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括Sb<Sub>70</Sub>S...
张丹卢雅琳朱小芹周健胡益丰邹华孙月梅张建豪袁丽吴卫华
稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法
本发明公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为Sb<Sub>x</Sub>A<Sub>y</Sub>；其中0&lt;x≤0.92，0&lt;y≤0.48，x+y=1.0...
邹华胡益丰朱小芹薛建忠张建豪孙月梅郑龙吴世臣袁丽吴卫华眭永兴
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用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，化学组成通式为（Ge<Sub>10</Sub>Sb<Sub>90</Sub>）<Sub>x</Sub>N<Sub>1‑x</Sub>，其中x=0.5...
朱小芹潘佳浩吴小丽胡益丰薛建忠袁丽吴卫华张建豪江向荣
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一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积...
胡益丰朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴沈大华
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稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法
本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Er<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>y</...
邹华胡益丰朱小芹张建豪郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华薛建忠眭永兴
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一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，所制备的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET...
朱小芹胡益丰邹华袁丽吴卫华郑龙张建豪吴世臣眭永兴
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用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期...
胡益丰朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴沈大华
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一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料
本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料，Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲...
朱小芹胡益丰邹华袁丽吴卫华郑龙张建豪吴世臣眭永兴
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用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由GeTe层和Sb层交替沉积复合而成，将一层GeTe层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的GeTe层沉积在前一个交替周期...
胡益丰潘佳浩吴小丽朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴
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一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料及其制备方法
本发明公开了一种镧系元素掺杂的ZnSb纳米相变材料，其组分表达式为Ln<Sub>x</Sub>(Zn<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>y</Sub>，其中x，y，i,j为原子百分比，0&lt...
邹华张建豪胡益丰朱小芹孙月梅郑龙眭永兴
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