您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇光学
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇EV
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇超快光学
  • 1篇弛豫
  • 1篇弛豫时间

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇陆书龙
  • 1篇吴渊渊
  • 1篇季莲
  • 1篇代盼
  • 1篇谭明
  • 1篇李宝吉
  • 1篇马忠权
  • 1篇顾俊
  • 1篇杨文献

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究被引量:1
2015年
利用分子束外延方法制备了应用于四结光伏电池的1.05 eV InGaAsP薄膜,并对其超快光学特性进行了研究.温度和激发功率有关的发光特性表明:InGaAsP材料以自由激子发光为主.室温下InGaAsP材料的载流子发光弛豫时间达到10.4 ns,且随激发功率增大而增大.发光弛豫时间随温度升高呈现S形变化,在低于50 K时随温度升高而增大,在50-150 K之间时减小,而温度高于150 K时再次增大.基于载流子弛豫动力学,分析并解释了温度及非辐射复合中心浓度对样品材料载流子发光弛豫时间S形变化的影响.
杨文献季莲代盼谭明吴渊渊卢建娅李宝吉顾俊陆书龙马忠权
关键词:分子束外延
共1页<1>
聚类工具0