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张自锋

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇锐钛矿
  • 2篇金属
  • 2篇光敏
  • 2篇光敏面
  • 2篇二极管
  • 1篇电极
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化钛
  • 1篇锐钛矿TIO...
  • 1篇探测器
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇欧姆接触电极
  • 1篇重掺杂
  • 1篇紫外光电探测...
  • 1篇外延片
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇接触电极

机构

  • 4篇厦门大学

作者

  • 4篇张自锋
  • 3篇陈厦平
  • 3篇洪荣墩
  • 3篇吴正云
  • 2篇蔡加法
  • 1篇张志威

传媒

  • 1篇量子电子学报

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
纳米结构TiO2制备及Nb掺杂锐钛矿TiO2MSM结构紫外光电探测器的研制
随着宽禁带半导体材料与器件技术的快速发展，基于宽禁带半导体的紫外探测器有望取代传统的硅基紫外探测器。TiO2材料主要吸收紫外辐射，对可见光几乎不吸收，制备的探测器紫外光/可见光响应对比度较高，因此具有可见光盲和高紫外探测...
张自锋
关键词：二氧化钛半导体纳米材料紫外光电探测器
4H-SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法
4H-SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n<Sup>+</Sup>型SiC衬底，在衬底上依...
陈厦平吴正云蔡加法洪荣墩张自锋钟金祥
KrF脉冲激光退火制备锐钛矿TiO_2薄膜被引量：1
2015年
在常温下,用射频磁控溅射在石英衬底上沉积厚度约为200 nm的TiO_2薄膜,使用波长为248 nm的KrF脉冲激光器,在不同功率密度下对薄膜样品进行辐照退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)、X射线电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率扫描隧道显微镜(HRTEM)以及选择区域电子衍射(SAED)、紫外可见分光光度计等方法分析不同激光功率密度退火对TiO_2薄膜的结构、表面形貌和透射率等性能的影响。结果表明当激光功率密度为0.5 J/cm^2时,可获得高质量的锐钛矿TiO_2薄膜,当继续增大光功率密度时,TiO_2薄膜变为(110)取向的金红石相,其薄膜表面粗糙度也相应增大。
张自锋张志威洪荣墩陈厦平吴正云
关键词：激光技术光学特性
4H‑SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法
4H‑SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n<Sup>+</Sup>型SiC衬底，在衬底上依...
陈厦平吴正云蔡加法洪荣墩张自锋钟金祥
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