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邓海文

作品数:8 被引量:16H指数:3
供职机构:河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文基金:国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 5篇螯合剂
  • 5篇CMP
  • 3篇粗糙度
  • 2篇氧化剂
  • 2篇活性剂
  • 2篇碱性
  • 2篇A/O
  • 2篇BTA
  • 2篇CU
  • 2篇F
  • 1篇氧化铜
  • 1篇氧化物
  • 1篇三氮唑
  • 1篇铜表面
  • 1篇铜布线
  • 1篇铜互连
  • 1篇平坦化
  • 1篇清洗工艺
  • 1篇去除速率
  • 1篇面粗糙度

机构

  • 8篇河北工业大学
  • 1篇华北理工大学

作者

  • 8篇邓海文
  • 6篇王辰伟
  • 5篇刘玉岭
  • 4篇高宝红
  • 4篇张燕
  • 2篇闫辰奇
  • 2篇檀柏梅
  • 1篇牛新环
  • 1篇张金

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇功能材料
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
FA/OⅡ型螯合剂对多层Cu布线CMP后BTA去除的研究被引量:2
2016年
在化学机械抛光(CMP)过程中,加入苯并三氮唑(BTA)抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一。采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来表征BTA的去除效果。通过改变FA/OⅡ型螯合剂的浓度完成一系列对比实验,确定最佳的清洗效果。通过对比实验得知,当清洗液中螯合剂的浓度为1.50×10^-4-200×10^-4时,此时清洗液的pH值〉10,能有效去除Cu-BTA钝化膜以及其它残留的有机物,接触角下降到29°,表面的粗糙度较低。
邓海文檀柏梅张燕高宝红王辰伟顾张冰
FA/O碱性清洗液对GLSI多层Cu布线粗糙度的优化被引量:3
2015年
采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数,做单因素实验,得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗前后粗糙度的变化,电化学测试仪测试各种清洗液对晶圆表面的腐蚀情况。通过对比实验得出当FA/O碱性清洗液中FA/O II螯合剂体积分数为0.015%,O-20活性剂体积分数为0.15%时,表面粗糙度值最小为1.39 nm,而且表面和界面均没有腐蚀。
邓海文檀柏梅张燕顾张冰
关键词:粗糙度
Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用
2015年
研究了在铜化学机械抛光(CMP)平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用。铜CMP抛光液主要由SiO2磨料、非离子表面活性剂、螯合剂和氧化剂组成。针对不同比例螯合剂与氧化剂的协同作用,分别对抛光/静态腐蚀速率、电化学、片内非均匀性及平坦化、表面粗糙度进行了检测。通过对实验数据进行理论分析,研究表明当螯合剂与氧化剂的比例约为1∶1时,平坦化效果最好。研究为进一步优化抛光液配比,最终实现Cu CMP的全局平坦化提供了一定的理论基础。
闫辰奇刘玉岭张金王辰伟张燕邓海文安春燕
关键词:CMP螯合剂氧化剂平坦化
GLSI铜布线CMP后清洗碱性清洗液的研究
随着微电子技术的迅猛发展,集成电路最小线宽的日益减小,集成度逐渐提高,已经迈入GLSI时代。CMP后清洗作为整个IC制造过程中的一道重要工序,清洗能力的高低严重影响着电子器件的性能。传统的酸性清洗剂因其成分复杂、清洗对象...
邓海文
关键词:清洗工艺粗糙度
超精密加工中铜表面CMP后残余金属氧化物的去除被引量:2
2017年
多层铜布线经过化学机械平坦化(CMP)后,铜线条表面会残留CuO颗粒,它会对器件的稳定性有很大的影响,因此在CMP后清洗时必须把CuO从铜表面去除。这就要求有一种可以有效去除铜表面CuO的清洗剂。本研究中提出的新型复合清洗剂主要解决两个问题:一个是CuO的去除,另一个是防止清洗液对铜表面造成腐蚀。清洗剂的主要成分有两种,一种是FA/OⅡ型碱性螯合剂,它主要用来去除CuO,另一种是FA/OI型表面活性剂,它主要用来解决铜表面的腐蚀问题。通过在铜光片的表面生成氧化铜膜层,利用清洗剂对氧化层的清洗能力来反映其对于CuO的去除能力。表面活性剂的抗腐蚀能力主要通过电化学实验来反映。最后通过对清洗后12英寸图形片上的缺陷分析,验证清洗液对抛光后铜表面残余CuO实际清洗效果。结果表明,本文提出的复合清洗剂在不腐蚀铜表面的前提下能有效去除CuO,并且对晶圆表面缺陷的整体去除效果良好。
顾张冰牛新环刘玉岭高宝红王辰伟邓海文
关键词:腐蚀抑制剂
氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理被引量:3
2015年
为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。
张燕刘玉岭王辰伟闫辰奇邓海文
关键词:去除速率开路电位氧化剂
碱性清洗液中pH值对苯并三氮唑去除效果的影响被引量:1
2015年
主要在以碱性螯合剂去除苯并三氮唑(BTA)的基础上,通过改变清洗液的pH值来研究螯合剂对BTA去除效果的影响。BTA会和铜在其表面生成一层致密的Cu-BTA膜,使铜的表面疏水。利用这一特性,通过铜表面接触角大小的变化来判断BTA的去除效果。利用电化学工作站,在螯合剂与BTA的混合溶液作为电解质的条件下,得出铜电极的塔菲尔曲线来验证接触角的测试结果。结果表明,随着pH值的增加,在pH值为7~10时,对BTA的去除有很明显的促进作用。当pH值大于10后,促进作用不明显。
顾张冰刘玉岭高宝红王辰伟邓海文
关键词:接触角
GLSI铜互连层CMP后碱性清洗液的研究被引量:3
2016年
研究了铜互连层在化学机械平坦化(CMP)后表面残余缺陷的去除机理,并采用以碱性螯合剂(FA/OⅡ型)和非离子表面活性剂(FA/OⅠ型)为主的碱性清洗液清洗其表面,然后用缺陷检测系统和扫描电镜分析清洗后的表面,以检测不同浓度清洗液的清洗效果。其中螯合剂和活性剂对各种表面缺陷的去除有着不一样的功效,体积分数0.02%的FA/OⅡ型螯合剂和体积分数0.04%FA/OⅠ型活性剂混合组成的复合清洗液能够减少表面缺陷总数至724颗,使残余缺陷总数接近工业应用的要求。最后,通过原子力显微镜检测清洗后的铜表面状态,发现该复合清洗液可以很好地减小抛光后铜表面的粗糙度。
顾张冰刘玉岭高宝红王辰伟邓海文
关键词:表面活性剂表面粗糙度
共1页<1>
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