孙丽
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征被引量：2
- 2015年
- 使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间。利用X射线光电子能谱对氢插入后的化学键变化进行了表征。样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成。对不同氢气退火温度下各组分的强度进行采集与分析,并分别与相应的拉曼光谱数据进行对比。结果表明,低于800℃退火温度会造成氢插入的不完全,但当退火温度超过1200℃后,插入的氢将被释放。为获得较优的氢插入效果,需要选择1000℃左右的氢气退火温度。
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- 关键词：石墨烯碳化硅热解法
- 光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征被引量：1
- 2016年
- 高温条件下裂解碳化硅(SiC)单晶,在直径5cm的4H-SiC(0001)面制备出单层石墨烯。利用光电化学刻蚀方法,使KOH刻蚀液与SiC发生反应,降低石墨烯与衬底之间的相互作用力,去掉原位生长过程中SiC衬底与石墨烯之间存在的缓冲层,获得准自由的双层石墨烯。首先通过对比不同的电流密度和光照强度,总结出电流密度为6mA·cm-2、紫外灯与样品间距为3cm时,石墨烯缓冲层的去除效率以及石墨烯质量皆为最佳。采用此优化后工艺处理的样品,拉曼光谱表明原位生长的缓冲层与衬底脱离,表现出准自由石墨烯的特性。X射线光电子能谱(XPS)C1s谱图中代表上层石墨烯与衬底Si悬键结合的S1、S2特征峰消失,即石墨烯缓冲层消失。通过分析刻蚀过程中的电化学曲线,提出了刻蚀过程的化学反应过程中的动态特性。
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- 关键词：碳化硅缓冲层电化学光化学
