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蒲天

作品数:10 被引量:14H指数:3
供职机构:南京航空航天大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省科技成果转化专项资金江苏高校优势学科建设工程项目更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电池
  • 6篇多晶
  • 5篇倒金字塔
  • 5篇太阳电池
  • 5篇金字
  • 4篇倒金字塔结构
  • 4篇超纯水
  • 3篇金属
  • 3篇MA
  • 2篇钝化
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅片
  • 2篇多晶硅太阳电...
  • 2篇原子
  • 2篇溶液法
  • 2篇双金属
  • 2篇双原子
  • 2篇消耗量
  • 2篇面线
  • 2篇化学法

机构

  • 10篇南京航空航天...

作者

  • 10篇沈鸿烈
  • 10篇蒲天
  • 7篇郑超凡
  • 6篇蒋晔
  • 4篇吴兢
  • 3篇蒋晔
  • 2篇李玉芳
  • 2篇金磊
  • 1篇陈洁仪
  • 1篇杨楠楠

传媒

  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法
本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下:(1)对硅片进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>O混合溶液中进行制绒处理(...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
圆化处理法制备高效大尺寸多晶黑硅太阳电池被引量:4
2015年
采用金属辅助化学腐蚀法制备了多晶黑硅,并研究了极低浓度NaOH溶液对扩孔后黑硅结构的圆化作用及其对多晶黑硅太阳电池性能的影响。用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)和量子效率(Quantum efficiency,QE)测试仪对黑硅表面形貌及黑硅电池性能进行了表征。结果表明,利用极低浓度的NaOH圆化扩孔后黑硅的尖端及棱角可以减少表面复合的影响。处理后的黑硅表面孔洞均匀且平滑,黑硅太阳电池400~900nm可见光波段平均反射率为4.15%,批量生产的电池平均转换效率达到17.94%,比常规酸制绒工艺制备的电池平均转换效率提高了0.35%。
蒋晔沈鸿烈蒲天唐群涛郑超凡芮春保罗旌旺吴兢蔡济波
关键词:微结构反射率太阳电池
银铜双原子MACE法可控制备倒金字塔多晶黑硅的结构与性能被引量:7
2017年
采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀法,室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,再利用纳米结构修正溶液在温度为50℃时对硅片进行各向异性重构,可控制备出不同尺寸的倒金字塔陷光结构.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了多晶硅表面形貌,用少子寿命测试仪测量了多晶硅钝化后的少子寿命.结果表明:影响倒金字塔结构尺寸的主要影响因素是制备态黑硅纳米结构的深度,当深度越深,最终形成的结构尺寸也越大;纳米结构修正溶液重构时间越长,所形成的倒金字塔结构尺寸越大,反射率也变大;经原子层沉积钝化后的倒金字塔结构中少子寿命随其尺寸的增大而增加;当倒金字塔边长为600nm时综合效果最佳,反射率为9.87%,少子寿命为37.82μs.
郑超凡沈鸿烈蒲天蒋晔李玉芳唐群涛杨楠楠金磊
关键词:倒金字塔
一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法
本发明公开一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法。其步骤包括:(1)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术,在硅片表面制备黑硅结构;(2)采用NSR(Nano‑Structure Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优...
沈鸿烈蒋晔蒲天
文献传递
银铜双原子MACE法制备多晶硅陷光结构及其性能的研究被引量:6
2017年
采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,于室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,研究了腐蚀时间及银铜摩尔比对多晶硅表面反射率和形貌的影响。用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了表面形貌。发现银铜双原子MACE法所形成的结构比银单原子或铜单原子MACE法所形成的结构更加平整且具有更低的表面反射率室温下经过银铜两种金属原子协同催化腐蚀后,在银铜原子摩尔比低于1/10时多晶硅表面形成了纳米多孔状与槽状结构共存的复合结构,在银铜原子摩尔比高于1/5时多晶硅表面形成密集的纳米线结构。研究结果表明,孔状与槽状的复合结构具有良好的陷光效果,当银铜原子摩尔比为1/10,腐蚀时间为180s时,多晶硅的反射率达到最低,仅为6.23%。
郑超凡沈鸿烈蒲天蒋晔李玉芳唐群涛吴斯泰陈洁仪金磊
一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法
本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法,属于光电技术领域。其方法步骤如下:(1)对溶液进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、HF、AgNO<Sub>3</Sub>、C...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法
本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法,属于光电技术领域。其方法步骤如下:(1)对溶液进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、HF、AgNO<Sub>3</Sub>、C...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
文献传递
一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法
本发明公开一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法。其步骤包括:(1)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术,在硅片表面制备黑硅结构;(2)采用NSR(Nano-Structure?Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优...
沈鸿烈蒋晔蒲天
文献传递
一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法
本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下:(1)对硅片进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>O混合溶液中进行制绒处理(...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
文献传递
清洗工艺对金属辅助刻蚀制备黑硅及其光伏器件的影响
2016年
为了减少黑硅表面缺陷对黑硅太阳电池性能的影响,本文以金属纳米颗粒辅助刻蚀制备的156 mm×156 mm多晶黑硅为研究对象,分别采用传统RCA清洗工艺中SC1清洗方法及其改进方法清洗黑硅,并通过SEM、少子寿命、IV、QE等手段表征黑硅微观结构及其光伏器件电性能。结果表明:改进清洗方法比SC1具有更好的清洗效果,能够有效去除黑硅中的金属残留,同时修正黑硅表面微结构,黑硅的少子寿命由1.98μs提高到3.09μs。对于156mm×156mm多晶黑硅太阳电池,改进方法清洗的黑硅电池比SC1方法清洗黑硅太阳电池短路电流提升62m A,平均转化效率提升了0.16%,达18.01%。
罗旌旺蒲天吴兢芮春保孔凡建沈鸿烈
关键词:清洗工艺少子寿命太阳电池
共1页<1>
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