蒲天 作品数:10 被引量:14 H指数:3 供职机构: 南京航空航天大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 江苏省科技成果转化专项资金 江苏高校优势学科建设工程项目 更多>> 相关领域: 一般工业技术 电子电信 理学 机械工程 更多>>
一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法 本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下:(1)对硅片进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>O混合溶液中进行制绒处理(... 沈鸿烈 郑超凡 蒲天 蒋晔 吴兢圆化处理法制备高效大尺寸多晶黑硅太阳电池 被引量:4 2015年 采用金属辅助化学腐蚀法制备了多晶黑硅,并研究了极低浓度NaOH溶液对扩孔后黑硅结构的圆化作用及其对多晶黑硅太阳电池性能的影响。用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)和量子效率(Quantum efficiency,QE)测试仪对黑硅表面形貌及黑硅电池性能进行了表征。结果表明,利用极低浓度的NaOH圆化扩孔后黑硅的尖端及棱角可以减少表面复合的影响。处理后的黑硅表面孔洞均匀且平滑,黑硅太阳电池400~900nm可见光波段平均反射率为4.15%,批量生产的电池平均转换效率达到17.94%,比常规酸制绒工艺制备的电池平均转换效率提高了0.35%。 蒋晔 沈鸿烈 蒲天 唐群涛 郑超凡 芮春保 罗旌旺 吴兢 蔡济波关键词:微结构 反射率 太阳电池 银铜双原子MACE法可控制备倒金字塔多晶黑硅的结构与性能 被引量:7 2017年 采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀法,室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,再利用纳米结构修正溶液在温度为50℃时对硅片进行各向异性重构,可控制备出不同尺寸的倒金字塔陷光结构.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了多晶硅表面形貌,用少子寿命测试仪测量了多晶硅钝化后的少子寿命.结果表明:影响倒金字塔结构尺寸的主要影响因素是制备态黑硅纳米结构的深度,当深度越深,最终形成的结构尺寸也越大;纳米结构修正溶液重构时间越长,所形成的倒金字塔结构尺寸越大,反射率也变大;经原子层沉积钝化后的倒金字塔结构中少子寿命随其尺寸的增大而增加;当倒金字塔边长为600nm时综合效果最佳,反射率为9.87%,少子寿命为37.82μs. 郑超凡 沈鸿烈 蒲天 蒋晔 李玉芳 唐群涛 杨楠楠 金磊关键词:倒金字塔 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法 本发明公开一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法。其步骤包括:(1)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术,在硅片表面制备黑硅结构;(2)采用NSR(Nano‑Structure Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优... 沈鸿烈 蒋晔 蒲天文献传递 银铜双原子MACE法制备多晶硅陷光结构及其性能的研究 被引量:6 2017年 采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,于室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,研究了腐蚀时间及银铜摩尔比对多晶硅表面反射率和形貌的影响。用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了表面形貌。发现银铜双原子MACE法所形成的结构比银单原子或铜单原子MACE法所形成的结构更加平整且具有更低的表面反射率室温下经过银铜两种金属原子协同催化腐蚀后,在银铜原子摩尔比低于1/10时多晶硅表面形成了纳米多孔状与槽状结构共存的复合结构,在银铜原子摩尔比高于1/5时多晶硅表面形成密集的纳米线结构。研究结果表明,孔状与槽状的复合结构具有良好的陷光效果,当银铜原子摩尔比为1/10,腐蚀时间为180s时,多晶硅的反射率达到最低,仅为6.23%。 郑超凡 沈鸿烈 蒲天 蒋晔 李玉芳 唐群涛 吴斯泰 陈洁仪 金磊一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法 本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法,属于光电技术领域。其方法步骤如下:(1)对溶液进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、HF、AgNO<Sub>3</Sub>、C... 沈鸿烈 郑超凡 蒲天 蒋晔 吴兢一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法 本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法,属于光电技术领域。其方法步骤如下:(1)对溶液进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、HF、AgNO<Sub>3</Sub>、C... 沈鸿烈 郑超凡 蒲天 蒋晔 吴兢文献传递 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法 本发明公开一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法。其步骤包括:(1)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术,在硅片表面制备黑硅结构;(2)采用NSR(Nano-Structure?Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优... 沈鸿烈 蒋晔 蒲天文献传递 一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法 本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下:(1)对硅片进行预清洗;(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>O混合溶液中进行制绒处理(... 沈鸿烈 郑超凡 蒲天 蒋晔 吴兢文献传递 清洗工艺对金属辅助刻蚀制备黑硅及其光伏器件的影响 2016年 为了减少黑硅表面缺陷对黑硅太阳电池性能的影响,本文以金属纳米颗粒辅助刻蚀制备的156 mm×156 mm多晶黑硅为研究对象,分别采用传统RCA清洗工艺中SC1清洗方法及其改进方法清洗黑硅,并通过SEM、少子寿命、IV、QE等手段表征黑硅微观结构及其光伏器件电性能。结果表明:改进清洗方法比SC1具有更好的清洗效果,能够有效去除黑硅中的金属残留,同时修正黑硅表面微结构,黑硅的少子寿命由1.98μs提高到3.09μs。对于156mm×156mm多晶黑硅太阳电池,改进方法清洗的黑硅电池比SC1方法清洗黑硅太阳电池短路电流提升62m A,平均转化效率提升了0.16%,达18.01%。 罗旌旺 蒲天 吴兢 芮春保 孔凡建 沈鸿烈关键词:清洗工艺 少子寿命 太阳电池