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郑超凡

作品数：10 被引量：25H指数：4
供职机构：南京航空航天大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目江苏省科技成果转化专项资金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 6篇多晶
  • 4篇电池
  • 4篇太阳电池
  • 4篇超纯水
  • 3篇倒金字塔
  • 3篇原子
  • 3篇双原子
  • 3篇金字
  • 3篇铜
  • 3篇银
  • 3篇MA
  • 2篇倒金字塔结构
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅片
  • 2篇多晶硅太阳电...
  • 2篇性能研究
  • 2篇双金属
  • 2篇消耗量
  • 2篇面线
  • 2篇金属

机构

  • 10篇南京航空航天...

作者

  • 10篇郑超凡
  • 9篇沈鸿烈
  • 7篇蒲天
  • 4篇蒋晔
  • 4篇蒋晔
  • 4篇吴兢
  • 3篇李玉芳
  • 3篇金磊
  • 2篇杨楠楠
  • 1篇陈洁仪

传媒

  • 2篇南京航空航天...
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
银铜双原子金属辅助化学腐蚀法制备多晶黑硅太阳电池
当今光伏市场，晶硅电池占据了90%以上的市场份额，而多晶硅太阳电池由于成本较低，切片方式简单成为了科研工作者以及光伏企业的研究热点。但是由于多晶硅片表面较高的反射率造成了大量入射光的损失，即使经酸制绒处理后的表面反射率也...
郑超凡
银铜双原子MACE法可控制备倒金字塔多晶黑硅的结构与性能被引量：7
2017年
采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀法,室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,再利用纳米结构修正溶液在温度为50℃时对硅片进行各向异性重构,可控制备出不同尺寸的倒金字塔陷光结构.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了多晶硅表面形貌,用少子寿命测试仪测量了多晶硅钝化后的少子寿命.结果表明:影响倒金字塔结构尺寸的主要影响因素是制备态黑硅纳米结构的深度,当深度越深,最终形成的结构尺寸也越大;纳米结构修正溶液重构时间越长,所形成的倒金字塔结构尺寸越大,反射率也变大;经原子层沉积钝化后的倒金字塔结构中少子寿命随其尺寸的增大而增加;当倒金字塔边长为600nm时综合效果最佳,反射率为9.87%,少子寿命为37.82μs.
郑超凡沈鸿烈蒲天蒋晔李玉芳唐群涛杨楠楠金磊
关键词：倒金字塔
一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法
本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法，属于光电技术领域。其方法步骤如下：(1)对溶液进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、HF、AgNO<Sub>3</Sub>、C...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
文献传递
反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究被引量：5
2017年
结合SiO_2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅,利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤层,优化了多晶黑硅结构。在多晶黑硅上用原子层沉积技术沉积一层Al_2O_3薄膜,并对样品进行快速热退火处理。结果表明,采用低浓度的NaOH溶液可以完全去除损伤层,在保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑;经450℃快速热退火后少子寿命达到29.34μs,表面复合速率为306cm·s-1,在可见光范围内平均反射率降至7.12%。
金磊李玉芳沈鸿烈蒋晔杨汪扬杨楠楠郑超凡
关键词：反应离子刻蚀表面钝化氧化铝
一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法
本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下：(1)对硅片进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>O混合溶液中进行制绒处理(...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
银纳米线的合成及其透明导电膜的性能研究被引量：6
2015年
采用溶剂热法制备银纳米线(AgNWs),通过控制实验过程中的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和硝酸银的比例及氯离子与银离子的摩尔比研究这些参数对AgNWs长度及直径的影响。研究发现,当PVP与硝酸银的摩尔比为4.5∶1且氯离子与银离子的摩尔比为2∶85时,银纳米线具有较合适的长度及直径且在溶液中具有优越的分散性,适合于导电膜的制备。采用该参数银纳米线制备出的导电膜最高品质因子达到24,高于掺锡氧化铟(Indium tin oxide,ITO)薄膜的品质因子9,且具有较好的抗弯折性能。结果表明,银纳米线透明导电薄膜在有机太阳能电池(Organic photovoltain,OPV)和有机发光二极管(Orgnic light-emitting diode,OLED)等柔性电子器件领域有很大的应用潜力。
唐群涛沈鸿烈郑超凡张三洋
关键词：溶剂热法银纳米线透明导电膜
圆化处理法制备高效大尺寸多晶黑硅太阳电池被引量：4
2015年
采用金属辅助化学腐蚀法制备了多晶黑硅,并研究了极低浓度NaOH溶液对扩孔后黑硅结构的圆化作用及其对多晶黑硅太阳电池性能的影响。用扫描电镜（Scanning electron microscope,SEM）和量子效率（Quantum efficiency,QE）测试仪对黑硅表面形貌及黑硅电池性能进行了表征。结果表明,利用极低浓度的NaOH圆化扩孔后黑硅的尖端及棱角可以减少表面复合的影响。处理后的黑硅表面孔洞均匀且平滑,黑硅太阳电池400~900nm可见光波段平均反射率为4.15%,批量生产的电池平均转换效率达到17.94%,比常规酸制绒工艺制备的电池平均转换效率提高了0.35%。
蒋晔沈鸿烈蒲天唐群涛郑超凡芮春保罗旌旺吴兢蔡济波
关键词：微结构反射率太阳电池
银铜双原子MACE法制备多晶硅陷光结构及其性能的研究被引量：6
2017年
采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,于室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,研究了腐蚀时间及银铜摩尔比对多晶硅表面反射率和形貌的影响。用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了表面形貌。发现银铜双原子MACE法所形成的结构比银单原子或铜单原子MACE法所形成的结构更加平整且具有更低的表面反射率室温下经过银铜两种金属原子协同催化腐蚀后,在银铜原子摩尔比低于1/10时多晶硅表面形成了纳米多孔状与槽状结构共存的复合结构,在银铜原子摩尔比高于1/5时多晶硅表面形成密集的纳米线结构。研究结果表明,孔状与槽状的复合结构具有良好的陷光效果,当银铜原子摩尔比为1/10,腐蚀时间为180s时,多晶硅的反射率达到最低,仅为6.23%。
郑超凡沈鸿烈蒲天蒋晔李玉芳唐群涛吴斯泰陈洁仪金磊
一种银铜双金属MACE法制备黑硅结构的方法
本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法，属于光电技术领域。其方法步骤如下：(1)对溶液进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、HF、AgNO<Sub>3</Sub>、C...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法
本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下：(1)对硅片进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO<Sub>3</Sub>/H<Sub>2</Sub>O混合溶液中进行制绒处理(...
沈鸿烈郑超凡蒲天蒋晔吴兢
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