杨凯
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- 一种二氧化钒薄膜低温沉积方法
- 本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法，采用磁控溅射技术，以金属钒或钒合金为靶材，以氧气为反应气体，氩气为溅射气体；制备薄膜前，先将真空室抽至低于1×10<Sup>-3</Sup>Pa本底真空，然后通入氧气和氩气混合...
- 张东平朱茂东杨凯范平蔡兴民罗景庭钟爱华林思敏
- 文献传递
- 一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法
- 本发明提供一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法，包括步骤：首先，将采用物理或化学方法在清洁后的基底上沉积二氧化钒薄膜；对所制备的二氧化钒薄膜进行光电性能和微结构表征，得到薄膜的化学计量比和微结构信息；将上述制备得到的二氧化...
- 张东平杨凯朱茂东秦晓楠关天锐范平蔡兴民罗景庭钟爱华
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- 一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法
- 本发明提供一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法，包括步骤：首先，将采用物理或化学方法在清洁后的基底上沉积二氧化钒薄膜；对所制备的二氧化钒薄膜进行光电性能和微结构表征，得到薄膜的化学计量比和微结构信息；将上述制备得到的二氧化...
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- 一种二氧化钒薄膜低温沉积方法
- 本发明公开了一种低温沉积二氧化钒薄膜的方法，采用磁控溅射技术，以金属钒或钒合金为靶材，以氧气为反应气体，氩气为溅射气体；制备薄膜前，先将真空室抽至低于1×10<Sup>‑3</Sup>Pa本底真空，然后通入氧气和氩气混合...
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- 氧分压对磁控溅射VO_2薄膜相变性能的影响被引量：1
- 2015年
- 采用直流反应磁控溅射工艺在不同氧分压下制备VO2相变薄膜.分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、四探针方阻测量系统和分光光度计对薄膜微结构、表面形貌、电学及光学特性进行表征.测量结果表明,薄膜样品是由包含VO2相在内的多相复杂体系构成的,随着氧分压的增加,薄膜中高价态相的钒氧化物增多.所有薄膜均呈现出压应力,压应力大小随着氧分压的升高而逐渐减小.方块电阻温变结果表明,薄膜具有明显半导体-金属相变特性,相变性能随着氧分压的升高呈先增后减特征.高低温透射谱表明,薄膜具有良好红外开关特性.氧分压改变导致膜中氧空位缺陷密度和微结构变化是VO2薄膜半导体-金属相变性能改变的主因.本实验条件下,具有良好热致相变性能的VO2薄膜的最佳生长氧分压是0.04 Pa.
- 张东平朱茂东杨凯刘毅黄仁桂蔡兴民范平
- 关键词：凝聚态物理VO2薄膜磁控溅射氧分压微结构
- 不同膜层匹配下二氧化钒薄膜光电性能研究
- 现代城市的楼宇建筑中,为了美观和提高采光率,玻璃门窗及幕墙占用面积不断提高。为了避免普通玻璃节能性差、耗能严重的问题,使用节能镀膜玻璃成为现代玻璃大厦最常见的节能措施,其中最常见的为Low-e镀膜玻璃。然而Low-e镀膜...
- 杨凯
- 关键词：VO2薄膜缓冲层
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