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冯翠月

作品数：5 被引量：5H指数：2
供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省教育厅科研基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇铝栅
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 4篇CMP
  • 3篇抛光液
  • 3篇碱性抛光液
  • 2篇抛光
  • 2篇抛光工艺
  • 2篇去除速率
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇平坦化
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇磨料
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇控制机
  • 1篇控制机理
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇化学机械平坦...
  • 1篇活性剂
  • 1篇碱性

机构

  • 5篇河北工业大学

作者

  • 5篇冯翠月
  • 4篇刘玉岭
  • 3篇张文倩
  • 1篇牛新环
  • 1篇马欣

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 1篇电镀与涂饰

年份

  • 4篇2016
  • 1篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
铝栅去除速率控制机理被引量：3
2016年
后形成栅极(RMG)化学机械抛光(CMP)是实现高k介质/金属栅的关键,决定了芯片上器件的可靠性。高去除速率、速率可控性与抑制电化学腐蚀是RMG平坦化抛光液的核心挑战。通过研究氧化剂、FA/OⅡ螯合剂和SiO_2磨料之间的配比,来控制自钝化、络合溶解及传质三个过程的动态平衡,实现高去除速率及速率可控性。实验结果表明,氧化剂体积分数和FA/OⅡ螯合剂体积分数之比为4∶3、SiO_2磨料质量分数为24%时,铝栅CMP的自钝化、络合溶解及传质三个过程之间基本达到平衡,获得了较高的去除速率和较佳的表面粗糙度,分别为286.2 nm/min和12.83 nm。按照该比例成倍加入三种化学试剂,达到了速率可控的目的。
冯翠月张文倩刘玉岭
关键词：铝栅去除速率
提高铝栅CMP表面平整度的研究
CMOS制造工艺中HKMG结构的铝栅CMP的表面平整度直接影响CMOS器件的电性能。国际上铝栅CMP采用酸性抛光液，其抛光液中加入的磷酸、硝酸会造成大气污染，排放的污水中含有磷酸盐和硝酸盐，造成水体污染。因此本课题研究铝...
冯翠月
关键词：互补金属氧化物半导体铝栅化学机械抛光碱性抛光液
铝栅碱性CMP的析氢腐蚀被引量：1
2016年
采用碱性抛光液对铝栅进行化学机械抛光(CMP),在pH值大于8.3时会发生析氢反应,表面产生氢气泡,在铝栅表面留下大量蚀坑缺陷,降低平坦化效果,严重影响芯片器件性能的完整性和可靠性。对铝栅在碱性介质CMP条件下的析氢反应机理及控制理论进行了深入探究。通过接触角实验和静态腐蚀实验,并结合金相显微镜观察静态腐蚀后表面状态,发现抛光液中加入FA/O I非离子型表面活性剂可有效抑制碱性环境中铝栅CMP析氢腐蚀。通过实验得出,当碱性抛光液中FA/O I非离子型表面活性剂的体积分数为1.5%时,抛光液的表面张力最小,接触角最小,抑制析氢腐蚀效果最好。
马欣刘玉岭牛新环冯翠月
关键词：铝栅碱性抛光液表面活性剂
碱性条件下CMP参数对铝栅表面粗糙度的影响被引量：2
2016年
铝栅化学机械平坦化(CMP)是实现高k介质/金属栅结构的关键技术,决定了芯片上器件性能的完整性、可靠性。针对铝的特性,以质量传递和温度传递理论作为依据,采用控制化学作用与机械作用相平衡的平坦化技术路线,研究碱性条件下铝栅化学机械抛光工艺参数对铝栅表面粗糙度的影响,以此确定铝栅粗抛过程的工艺参数。实验结果表明铝栅粗抛过程所需最优化工艺参数为:抛光头转速50 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间180 s,抛光机下压力3.0 psi(1 psi=6 895 Pa),此时原子力显微镜观察到的铝表面状态最好,表面粗糙度为2.08 nm,达到了较好的抛光效果。
冯翠月张文倩刘玉岭
关键词：铝栅碱性抛光液抛光工艺
铝栅化学机械抛光工艺被引量：1
2015年
探讨了抛光液组成和机械抛光工艺参数(包括抛光压力、转速、抛光液流速和抛光时间)对铝栅化学机械抛光过程中铝的去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂H_2O_2 1.0%(体积分数,下同),螯合剂FA/O II 0.4%,非离子表面活性剂FA/O I 2.0%,纳米硅溶胶磨料12%,pH 10。粗抛工艺参数为:抛光压力3.0 psi,转速50 r/min,抛光液流速250 m L/min,抛光时间240 s。精抛工艺参数为:抛光压力2.0 psi,转速45 r/min,抛光液流速150 m L/min,抛光时间240 s。粗抛时铝的去除速率为330 nm/min,精抛时铝的去除速率为210 nm/min。通过2种抛光工艺相结合,铝栅表面粗糙度可达13.26 nm。
冯翠月张文倩刘玉岭
关键词：铝栅化学机械抛光磨料去除速率表面粗糙度
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