马欣
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家科技重大专项天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GLSI铝栅平坦化工艺和材料的研究
- 随着集成电路(IC)技术的不断发展和器件特征尺寸的持续降低,为获得IC高集成化、高功能化、高速化和低功耗,高K介质/金属栅(HKMG)制程代替SiON/多晶硅栅的鳍式场效应晶体管(FinFET)已成为先进CMOS技术的关...
- 马欣
- 关键词：铝栅化学机械抛光去除速率碱性抛光液稳定性
- 文献传递
- 阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素被引量：2
- 2017年
- 在Co化学机械抛光(CMP)过程中,Co的化学反应活性强于Cu,Co/Cu界面存在较大的电化学腐蚀电位差。采用动电位扫描电化学技术,表征金属铜钴表面的电化学反应。采用降低Cu/Co接触腐蚀电位差的方法,表征铜钴电偶腐蚀。研究了阻挡层CMP中影响铜钴电偶腐蚀的几个因素:pH值、H_2O_2和FA/O螯合剂;并对其控制机理进行了深入的研究。实验结果表明:pH值对钴的腐蚀电位影响较大,对铜的腐蚀电位影响不大,随着pH值的增加降低了铜和钴的腐蚀电位差;在碱性环境下,H_2O_2可降低Cu和Co的腐蚀电位差(最小可降到3 mV),可有效抑制Cu和Co之间电偶腐蚀现象的产生;在H_2O_2基电解液中添加适量的FA/O螯合剂有助于降低Cu和Co的腐蚀电位差,对抑制Cu和Co电偶腐蚀现象的产生具有重大的作用。
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- 关键词：钴铜电偶腐蚀H2O2
- 铝栅碱性CMP的析氢腐蚀被引量：1
- 2016年
- 采用碱性抛光液对铝栅进行化学机械抛光(CMP),在pH值大于8.3时会发生析氢反应,表面产生氢气泡,在铝栅表面留下大量蚀坑缺陷,降低平坦化效果,严重影响芯片器件性能的完整性和可靠性。对铝栅在碱性介质CMP条件下的析氢反应机理及控制理论进行了深入探究。通过接触角实验和静态腐蚀实验,并结合金相显微镜观察静态腐蚀后表面状态,发现抛光液中加入FA/O I非离子型表面活性剂可有效抑制碱性环境中铝栅CMP析氢腐蚀。通过实验得出,当碱性抛光液中FA/O I非离子型表面活性剂的体积分数为1.5%时,抛光液的表面张力最小,接触角最小,抑制析氢腐蚀效果最好。
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- 关键词：铝栅碱性抛光液表面活性剂
- 用于TSV硅衬底的碱性抛光液研究被引量：1
- 2017年
- 在穿透硅通孔(TSV)工艺中,研究了碱性抛光液组分的组合方式和抛光液的稀释倍数对硅衬底去除速率的影响。分析了硅衬底的去除机理;研究了抛光液对Si/Cu去除速率的选择性;研究了抛光液的存储时间不同时pH值和硅衬底去除速率的变化。该抛光液通过在硅溶胶中依次加入表面活性剂、无机碱、有机胺碱,再用去离子水稀释15倍配制而成,并应用于TSV图形片。实验结果表明:该抛光液对硅衬底的去除速率较高,达到1.045μm/min;采用该抛光液对TSV图形片抛光120s后,铜柱露出2μm;抛光液储存时间30天后,硅衬底去除速率仅损失1.3%。该碱性抛光液满足半导体制造行业要求。
- 刘俊杰李海清马欣刘玉岭牛新环王如
- 关键词：化学机械抛光抛光液
