刘阳
- 作品数：5 被引量：11H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理被引量：3
- 2016年
- 提出了一种新型GaN异质结高电子迁移率晶体管在强电磁脉冲下的二维电热模型,模型引入材料固有的极化效应,高场下电子迁移率退化、载流子雪崩产生效应以及器件自热效应,分析了栅极注入强电磁脉冲情况下器件内部的瞬态响应,对其损伤机理和损伤阈值变化规律进行了研究.结果表明,器件内部温升速率呈现出"快速-缓慢-急剧"的趋势.当器件局部温度足够高时(2000 K),该位置热电子发射与温度升高形成正反馈,导致温度急剧升高直至烧毁.栅极靠近源端的柱面处是由于热积累最易发生熔融烧毁的部位,严重影响器件的特性和可靠性.随着脉宽的增加,损伤功率阈值迅速减小而损伤能量阈值逐渐增大.通过数据拟合得到脉宽τ与损伤功率阈值P和损伤能量阈值E的关系.
- 刘阳柴常春于新海樊庆扬杨银堂席晓文刘胜北
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管
- 高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理被引量：3
- 2016年
- 本文针对高电子迁移率晶体管在高功率微波注入条件下的损伤过程和机理进行了研究,借助SentaurusTCAD仿真软件建立了晶体管的二维电热模型,并仿真了高功率微波注入下的器件响应.探索了器件内部电流密度、电场强度、温度分布以及端电流随微波作用时间的变化规律.研究结果表明,当幅值为20 V,频率为14.9 GHz的微波信号由栅极注入后,器件正半周电流密度远大于负半周电流密度,而负半周电场强度高于正半周电场.在强电场和大电流的共同作用下,器件内部的升温过程同时发生在信号的正、负半周内.又因栅极下靠近源极侧既是电场最强处,也是电流最密集之处,使得温度峰值出现在该处.最后,对微波信号损伤的高电子迁移率晶体管进行表面形貌失效分析,表明仿真与实验结果符合良好.
- 李志鹏李晶孙静刘阳方进勇
- 关键词：高电子迁移率晶体管高功率微波
- 外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响被引量：3
- 2017年
- 结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.
- 席晓文柴常春刘阳杨银堂樊庆扬
- 关键词：电磁脉冲
- 一种估算微带传输线辐射敏感性的解析电路模型被引量：2
- 2017年
- 根据传输线理论和电磁场理论,文中提出了一种估算微带传输线辐射敏感性的时域解析电路模型.该模型能够快速得到微带传输线对外界电磁干扰的敏感阈值,使用国际电工委员会横电磁标准62132-2规定的横电磁小室作为测试环境,选用具有陡峭边沿能直观地呈现微带传输线辐射敏感性的传输线脉冲作为电磁干扰信号.以此模型应用实例来说明模型的有效性,得到了具体的解析电路模型参数,由模型计算和测试结果的对比验证了该模型的准确性.此外,运用该模型进一步计算了不同负载时微带传输线对传输线脉冲的响应情况,并计算了响应中电场耦合和磁场耦合的贡献,得到了负载变化对微带传输线辐射敏感性的影响规律,从而可由负载的选择来提高微带传输线的辐射敏感性.
- 史春蕾柴常春刘彧千樊庆扬刘阳杨银堂
- 关键词：传输线脉冲微带传输线
- 应变ZnO光学和电学特性的第一性原理计算被引量：2
- 2015年
- 基于应变张量理论,建立未应变ZnO与不同Mg组分表征的应变ZnO/Zn1-xMgxO超胞模型,进而采用密度泛函理论框架的第一性原理平面波规范-守恒赝势方法,研究应变ZnO的电学和光学特性。计算结果表明,导带电子有效质量随应力增加而稍有增加;'重空穴'带和'轻空穴带'的空穴有效质量几乎未受到应力的影响,而场致分裂带空穴有效质量随应力增加而明显减小,该结果与KP法计算结果一致。光学特性研究表明,在2340 eV高能段,由于应变ZnO的反射率和吸收值均小于未应变ZnO的反射率和吸收值,表明应变ZnO在高能段平均光透射率增加。
- 乔丽萍柴常春于新海杨银堂刘阳
- 关键词：第一性原理分裂能反射率
