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肖强

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇衬底
  • 3篇顶角
  • 3篇掩膜
  • 3篇硅衬底
  • 3篇保护层
  • 3篇槽栅
  • 2篇栅极
  • 2篇IGBT
  • 2篇侧墙
  • 1篇对顶角
  • 1篇遮蔽
  • 1篇制作方法
  • 1篇蚀刻
  • 1篇漏电
  • 1篇沟槽
  • 1篇槽壁

机构

  • 5篇株洲南车时代...

作者

  • 5篇肖强
  • 5篇蒋明明
  • 3篇易鹏程
  • 2篇朱利恒
  • 1篇罗海辉

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种IGBT栅极的制作方法
本申请公开了一种IGBT栅极的制作方法，包括：在衬底上制作栅极；在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层；在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层，其中，所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面；去除不...
文高杨鑫著朱利恒肖强蒋明明
文献传递
沟槽栅蚀刻方法
本发明涉及一种沟槽栅蚀刻方法，包括：步骤一：在硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽，掩膜的与沟槽的侧壁相邻的区域形成环绕区，步骤二：垂直于沟槽的侧壁而蚀刻环绕区，在蚀刻后的环绕区的边缘和沟槽的顶角之...
文高杨鑫著肖强蒋明明易鹏程
文献传递
一种IGBT栅极的制作方法
本申请公开了一种IGBT栅极的制作方法，包括：在衬底上制作栅极；在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层；在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层，其中，所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面；去除不...
文高杨鑫著朱利恒肖强蒋明明
沟槽栅蚀刻方法
本发明涉及一种沟槽栅蚀刻方法，包括：步骤一：在硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽，掩膜的与沟槽的侧壁相邻的区域形成环绕区，步骤二：垂直于沟槽的侧壁而蚀刻环绕区，在蚀刻后的环绕区的边缘和沟槽的顶角之...
文高杨鑫著肖强蒋明明易鹏程
文献传递
沟槽栅蚀刻方法
本发明涉及沟槽栅蚀刻方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成不被氧化的掩膜，在硅衬底和掩膜之间形成第一界面，在掩膜的预定区开有露出硅衬底的窗口；对硅衬底进行氧化，在第一界面的与窗口相邻的区域形成二氧化硅区，二氧化硅区与硅衬底之...
肖强罗海辉杨鑫著易鹏程蒋明明文高
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